一种抗交变磁场干扰的取样电阻器及磁保持继电器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种抗交变磁场干扰的取样电阻器及磁保持继电器，为了解决磁保持继电器抗交变磁场能力弱，导致智能电表性能和精度降低的问题，所述取样电阻器包括第一导电片和第二导电片，设置在第一导电片和第二导电片之间的采样电阻片；所述第一导电片与采样电阻片的连接处设有第一信号取样端，所述第二导电片与采样电阻片的连接处设有第二信号取样端；与第一信号取样端相连的第一信号线和与第二信号取样端相连的第二信号线绞合相连；所述采样电阻片上开有通孔。所述磁保持继电器包括继电器本体；所述继电器本体上设置有如上所述的取样电阻器。本实用新型专利技术的解决方案简单实用可行，可抗任意方向交变磁场的干扰。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种抗交变磁场干扰的取样电阻器，包括第一导电片（1）和第二导电片（3），设置在第一导电片（1）和第二导电片（3）之间的采样电阻片（2）；其特征在于，所述第一导电片（1）与采样电阻片（2）的连接处设有外凸的第一信号取样端（7），所述第二导电片（3）与采样电阻片（2）的连接处设有外凸的第二信号取样端（8）；与第一信号取样端（7）相连的第一信号线（5）和与第二信号取样端（8）相连的第二信号线（6）绞合相连；所述采样电阻片（2）上开有用于所述第一信号线（5）或第二信号线（6）过线的通孔（4）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：乐伟敏，万绍平，王乐平，刘笑宁，黄大刚，宿海清，
申请(专利权)人：湖南航天经济发展有限公司，浙江朗万电气科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：