具有凹凸结构振动膜的电容式硅麦克风及其制备方法技术

技术编号:9358966 阅读:99 留言:0更新日期:2013-11-21 02:19
本发明专利技术涉及一种电容式硅麦克风,形成于半导体衬底一电路区域上,包括:一钝化层,其为电路区域表面层;一介质层,设置于钝化层与衬底之间;一器件组,埋设于钝化层底部,其包括第一器件和第二器件;一空气隙,位于钝化层上方;一气腔,形成于衬底内;以及至少一通气孔,其自未铺设器件组的电路区域向下贯通钝化层与介质层,分别与气腔、空气隙导通;一金属层,包括相互连接的第一部与第二部,第一部从上方包覆空气隙,第二部贯通钝化层与第二器件相连,第一部上表面包括:至少一释放孔;至少一凹部,与通气孔的位置一一对应。本发明专利技术能够有效改善硅麦克风振动膜内应力的均匀性,并能够提升硅麦克风的灵敏度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种电容式硅麦克风,形成于半导体衬底一电路区域上,包括:?一钝化层,其为所述电路区域表面层;?一介质层,设置于所述钝化层与所述衬底之间;?一器件组,埋设于所述钝化层底部,其包括第一器件和第二器件,所述第一器件为所述电容式硅麦克风的电容第一极;?一空气隙,位于所述钝化层上方,用于作为所述电容式硅麦克风的绝缘介质;?一气腔,形成于所述衬底内;以及?至少一通气孔,其自未铺设所述器件组的电路区域向下贯通所述钝化层与所述介质层,分别与所述气腔、所述空气隙导通;?一金属层,用于作为所述电容式硅麦克风的电容第二极,包括相互连接的第一部与第二部,所述第一部从上方包覆所述空气隙,所述第二部贯通所述钝化层与所述第...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:左青云康晓旭袁超
申请(专利权)人:上海集成电路研发中心有限公司
类型:发明
国别省市:

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