【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种电容式硅麦克风,形成于半导体衬底一电路区域上,包括:?一钝化层,其为所述电路区域表面层;?一介质层,设置于所述钝化层与所述衬底之间;?一器件组,埋设于所述钝化层底部,其包括第一器件和第二器件,所述第一器件为所述电容式硅麦克风的电容第一极;?一空气隙,位于所述钝化层上方,用于作为所述电容式硅麦克风的绝缘介质;?一气腔,形成于所述衬底内;以及?至少一通气孔,其自未铺设所述器件组的电路区域向下贯通所述钝化层与所述介质层,分别与所述气腔、所述空气隙导通;?一金属层,用于作为所述电容式硅麦克风的电容第二极,包括相互连接的第一部与第二部,所述第一部从上方包覆所述空气隙,所述第二部贯 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:左青云,康晓旭,袁超,
申请(专利权)人:上海集成电路研发中心有限公司,
类型:发明
国别省市:
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