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本发明涉及一种电容式硅麦克风，形成于半导体衬底一电路区域上，包括：一钝化层，其为电路区域表面层；一介质层，设置于钝化层与衬底之间；一器件组，埋设于钝化层底部，其包括第一器件和第二器件；一空气隙，位于钝化层上方；一气腔，形成于衬底内；以及至少...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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