一种晶硅太阳能电池栅线的仿生制备方法技术

一种晶硅太阳能电池栅线的仿生制备方法，其步骤如下：配制仿生液相沉积镍膜所需的镍溶液和液相沉积铜栅线所需的铜溶液；将PN结电池片整片涂胶形成光刻胶膜，并将根据栅线的结构制定的掩模板覆盖在光刻胶膜上进行掩模，用紫外线光进行曝光，并显影得到光刻窗口；将光刻好的电池片浸没入所述配制的镍溶液中，保持溶液温度20～75℃，光照0.5～6小时，光照强度为0.5～3个太阳，在所述光刻好的电池片上生成镍栅线；将仿生液相沉积完成的镍膜电池片浸没入所述配制的铜溶液中，保持溶液温度25~80℃，开始加电源，进行电沉积铜栅线。本发明专利技术的有益效果：简单独特、易于掌握，具有操作方便、重复可靠、成本低。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种晶硅太阳能电池栅线的仿生制备方法，其步骤如下：（1）配制仿生液相沉积镍膜所需的镍溶液和液相沉积铜栅线所需的铜溶液，所述镍溶液中NiSO4·6H2O的含量为10~25?g/L，NaH2PO2·2H2O的含量为10?~25?g/L，柠檬酸钠的含量为5~20?g/L，丙酸钠的含量为5~20?g/L，光亮剂含量0.5~2.5mg/L,稳定剂的含量为0.5~2.5mg/L；所述CuSO4·5H2O的含量25~80?g/L，H2SO4的含量160~200?g/L，Cl?的含量30~60?ppm，光亮剂的含量1~5ppm,?整平剂的含量2~6ppm；（2）将PN结电池片整片涂胶形成光刻胶膜，并将根据栅线的结构制定的掩模板覆盖在光刻胶膜上进行掩模，用紫外线光进行曝光，并显影得到光刻窗口；（3）将光刻好的电池片浸没入步骤（1）中配制的镍溶液中，保持溶液温度20～75℃，光照0.5～6小时，光照强度为0.5～3个太阳，在所述光刻好的电池片上生成镍栅线；（4）将步骤（3）中仿生液相沉积完成的镍膜电池片浸没入步骤（1）中配制的铜溶液中，保持溶液温度25~80℃，开始加电源，进行电沉积铜栅线。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：夏洋，
申请(专利权)人：夏洋，
类型：发明
国别省市：