【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种CMOS图像传感器的像素结构，其特征在于，该像素结构包括：四个像素，排列为三行两列阵列结构，第一列上端的像素与第二列下端的像素位于同一行中；该阵列结构中的每一像素均设有一光电二极管以及与该光电二极管连接的电荷传输晶体管，每一列的两个像素共享行选择晶体管、源跟随晶体管、复位晶体管及漂浮有源区；其中，每一列共享的漂浮有源区分别与该列两个像素的电荷传输晶体管，以及该列的源跟随晶体管和复位晶体管相连；该列的行选择晶体管与该列的源跟随晶体管相连；该列的复位晶体管与该列的行选择晶体管通过该列像素的信号输出线相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郭同辉，陈杰，刘志碧，唐冕，旷章曲，
申请(专利权)人：北京思比科微电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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