薄膜太阳能电池及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜太阳能电池，它包括减反射膜基底，基底上沉积有绝缘层，在绝缘层上生长有多个横向p-i-n结，各p-i-n结分别由具有垂直结构的n型掺杂层、本征层和p型掺杂层顺序设置组成，各本征层上分别具有背反射镜，各n型掺杂层和各p型掺杂层上分别具有金属电极。其制作方法包括清洗基底、沉积绝缘层、垂直结构处理、制作横向p-i-n结、制备背反射镜、制作电极等主要步骤。本发明专利技术的薄膜太阳能电池可有效避免p、n掺杂层死层的光吸收损失以及栅线对光线遮挡造成的光损失，增加光线在电池内部的反射，从而有效提高电池的转换效率，且可应用于各种薄膜太阳能电池。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种薄膜太阳能电池，其特征在于：包括减反射膜基底，基底上沉积有绝缘层，在绝缘层上生长有多个横向p?i?n结，各p?i?n结分别由具有垂直结构的n型掺杂层、本征层和p型掺杂层顺序设置组成，各本征层上分别具有背反射镜，各n型掺杂层和各p型掺杂层上分别具有金属电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭群超，庞宏杰，王凌云，柳琴，白晓宇，张愿成，张滢清，
申请(专利权)人：上海太阳能工程技术研究中心有限公司，
类型：发明
国别省市：