降低导电胶浆中因范德华力导致大颗粒团聚的方法技术

本发明专利技术涉及一种降低导电胶浆中因范德华力导致大颗粒团聚的方法，采用递进式差速摩擦法，将导电胶浆中团聚的大颗粒逐步搓细至需要细度。包括以下步骤：采用三个转动辊，两两组成两组对辊，第一转动辊与第二转动辊的间隙为第一间隙，第二转动辊与第三转动辊的间隙为第二间隙，按照第一间隙：第二间隙＝2:1的比例，通过第一间隙的导电胶浆在第二转动辊旋转带动至第二间隙，逐级将导电胶浆中大颗粒加工变细。与现有技术相比，本发明专利技术利用特殊涂层对辊，通过四次逐次缩小对辊间间隙，特定差速比摩擦方法降低纳米材料贵金属中因范德华力造成的大颗粒团聚，得到期望细度浆料，进而获得细栅线高分辨率印刷线路，提高印刷线导电性。提高印刷线导电性。提高印刷线导电性。

【技术实现步骤摘要】
降低导电胶浆中因范德华力导致大颗粒团聚的方法


[0001]本专利技术涉及纳米材料贵金属导电胶浆的制备
，尤其是涉及一降低导电胶浆中因范德华力导致大颗粒团聚的方法。

技术介绍

[0002]为提高纳米材料贵金属导电胶浆导电性能，国际主流产品都在追求导电胶浆可使用性(印刷、喷涂和浸润)和高分辨率，高光电转换效率晶硅太阳电池、5G陶瓷介质滤波器、以LTCC低温共烧陶瓷技术为代表的微电子集成电路等领域都对纳米贵金属导电胶浆使用性和分辨率有很高要求。为追求更好的使用性和分辨率，在塑型剂等配方确定情况下，普遍采用通过三辊工序获得细度较小的浆料。现有三辊碾压工艺因采用多次直接挤压方式，会在浆料中产生片状银粉，导电胶浆细度一般在10～14μm，不能进行细线印刷，且印刷线分辨率不高，难以满足高转换效率太阳电池、5G通讯和微电子封装等应用要求。
[0003]行业采用氧化锆辊进行物理碾压方式将胶浆中大颗粒团聚积压通过对辊小间隙，以期获得期望细度浆料。但这种方法会在挤压中将导电介质压成片状通过对辊间隙，给人造成获得了期望细度浆料的假象，在通过刮板细度计检测也验证了这一假象，这种工艺生产的浆料在印刷时网板目数只能做到350～400目左右，且在显微结构下，印刷线边缘毛糙，测试线路电阻达不到期望值。
[0004]以挤压方式降低细度的过程中产生的片状银，在印刷时会堵塞网板线形，造成印刷线断栅或仅通过少量银浆，形成局部塌陷，在整个银栅线导电线路中形成阻碍，不利于电流或电信号通过。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种降低导电胶浆中因范德华力导致大颗粒团聚的方法，用来解决现有技术的纳米材料贵金属导电胶浆印刷线路因塑型性和分辨率造成的导电性不高的技术问题。
[0006]本专利技术的目的可以通过以下技术方案来实现：
[0007]一种降低导电胶浆中因范德华力导致大颗粒团聚的方法，采用递进式差速摩擦法，将导电胶浆中团聚的大颗粒逐步搓细至需要细度。
[0008]在本专利技术的一个实施方式中，所述方法具体包括以下步骤：
[0009]采用三个转动辊，两两组成两组对辊，第一转动辊与第二转动辊的间隙为第一间隙，第二转动辊与第三转动辊的间隙为第二间隙，按照第一间隙：第二间隙＝2:1的比例，通过第一间隙的导电胶浆在第二转动辊旋转带动至第二间隙，逐级将导电胶浆中大颗粒加工变细。
[0010]在本专利技术的一个实施方式中，第一转动辊转速为V1，第二转动辊转速为V2，第三转动辊转速为V3，其中V2与V1，V3转速相反。
[0011]在本专利技术的一个实施方式中，第一转动辊转速为V1，第二转动辊转速为V2，第三转
动辊转速为V3，V1，V2与V3之间的转速遵循V1:V2:V3＝1:3:9的比例，通过第一转动辊、第二转动辊与第三转动辊之间的差速摩擦实现将导电胶浆颗粒变细。
[0012]在本专利技术的一个实施方式中，所述转动辊表面有氧化铝涂层。氧化铝热稳定性好、化学性质稳定且具有较大强度，能在很大压力梯度下操作，而不会被压缩和蠕变，机械性能好。
[0013]在本专利技术的一个实施方式中，导电胶浆先后四次通过两组对辊之间的间隙，且每次通过两组对辊时，第二间隙均逐渐缩小。
[0014]在本专利技术的一个实施方式中，导电胶浆先后四次通过两组对辊之间的间隙，逐次通过调整第二间隙，每次间隙调小二分之一，在差速摩擦过程中获得所需细度。
[0015]在本专利技术的一个实施方式中，导电胶浆先后四次通过两组对辊之间的间隙时，第二间隙的大小分别设定为40μm、20μm、10μm和5μm。
[0016]在本专利技术的一个实施方式中，导电胶浆先后四次通过两组对辊，第一次时，所述第二间隙调整为40μm，第一间隙为80μm，所得导电胶浆细度不大于40μm；
[0017]第二次时，所述第二间隙调整为20μm，第一间隙为40μm，所得导电胶浆细度不大于20μm；
[0018]第三次时，所述第二间隙调整为10μm，第一间隙为20μm，所得导电胶浆细度不大于10μm；
[0019]第四次时，所述第二间隙调整为5μm，第一间隙为10μm，所得导电胶浆细度不大于5μm。
[0020]在本专利技术的一个实施方式中，导电胶浆先后四次通过两组对辊之间的间隙后，导电胶浆的细度为5μm。
[0021]与现有技术相比，本专利技术具有以下优点及有益效果：
[0022]在纳米导电胶浆主要应用领域，晶硅太阳电池、微电子集成和5G通讯等，对浆料印刷性和分辨率要求越来越高。印刷线塑型性好，高宽比大，能减少印刷线在硅片表面所占面积，提高光伏用银浆光电转换效率；塑型性好可以获得更细的LTCC低温共烧陶瓷布线；喷涂和浸润性好，可以提高5G陶瓷介质滤波器陶瓷介质表面导电层质量，提高信号发射和接受效果，同时也降低能耗；印刷性好分辨率高，可以提高微电子集成线路布线精度和线数以及信号传输质量。
[0023]本专利技术利用特殊涂层对辊，通过四次逐次缩小对辊间间隙，特定差速比摩擦方法降低纳米材料贵金属中因范德华力造成的大颗粒团聚，得到期望细度浆料，进而获得细栅线高分辨率印刷线路，提高印刷线导电性。
[0024]本专利技术的方法可用于高光电转换效率太阳电池、LTCC低温共烧陶瓷技术和微电子封装导电胶等领域，能有效降低导电胶浆中颗粒细度，从而提高导电胶浆可使用性和线性分辨率，最终提高线路导电性。
附图说明
[0025]图1：实施例1中三个转动辊位置、转速方向示意图。
[0026]图2：实施例1中三个转动辊的间隙和上料出料示意图。
具体实施方式
[0027]下面结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细说明。
[0028]实施例
[0029]传统三辊工序为通过对辊之间挤压方式将大颗粒团聚无压碎变细，但实质是通过挤压将浆料通过间隙，会形成较多棒状、片状以银为主体的大颗粒，这些大颗粒仍然会影响浆料可使用性及烧结固化后的导电性能。
[0030]为解决上述工艺存在的缺陷，参考图1、图2，本实施例提供一种降低导电胶浆中因范德华力导致大颗粒团聚的方法，采用递进式差速摩擦法，将导电胶浆中团聚的大颗粒逐步搓细至需要细度。具体包括以下步骤：
[0031]采用三个转动辊，两两组成两组对辊，第一转动辊1与第二转动辊2的间隙为第一间隙，第二转动辊2与第三转动辊3的间隙为第二间隙，第二转动辊2位于中间，按照第一间隙：第二间隙＝2:1的比例，通过第一间隙的导电胶浆在第二转动辊2旋转带动至第二间隙，逐级将导电胶浆中大颗粒加工变细。第一转动辊1转速为V1，第二转动辊2转速为V2，第三转动辊3转速为V3，其中V2与V1，V3转速相反。本实施例中，第一转动辊1与第三转动辊3的转动方向为顺时针方向。V1，V2与V3之间的转速遵循V1:V2:V3＝1:3:9的比例，通过第一转动辊1、第二转动辊2与第三转动辊3之间的差速摩擦实现将导电胶浆颗粒变细。
[0032]在本专利技术的一个实施方式中，所述转动辊表面有氧化铝涂层。氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低导电胶浆中因范德华力导致大颗粒团聚的方法，其特征在于，采用递进式差速摩擦法，将导电胶浆中团聚的大颗粒逐步搓细至需要细度。2.根据权利要求1所述的一种降低导电胶浆中因范德华力导致大颗粒团聚的方法，其特征在于，包括以下步骤：采用三个转动辊，两两组成两组对辊，第一转动辊与第二转动辊的间隙为第一间隙，第二转动辊与第三转动辊的间隙为第二间隙，按照第一间隙：第二间隙＝2:1的比例，通过第一间隙的导电胶浆在第二转动辊旋转带动至第二间隙，逐级将导电胶浆中大颗粒加工变细。3.根据权利要求2所述的一种降低导电胶浆中因范德华力导致大颗粒团聚的方法，其特征在于，第一转动辊转速为V1，第二转动辊转速为V2，第三转动辊转速为V3，其中V2与V1，V3转速相反。4.根据权利要求2所述的一种降低导电胶浆中因范德华力导致大颗粒团聚的方法，其特征在于，第一转动辊转速为V1，第二转动辊转速为V2，第三转动辊转速为V3，V1，V2与V3之间的转速遵循V1:V2:V3＝1:3:9的比例。5.根据权利要求2所述的一种降低导电胶浆中因范德华力导致大颗粒团聚的方法，其特征在于，所述转动辊表面有氧化铝涂层。6.根据权利要求2所述的一种降低导电胶浆中因范德华力导致大颗粒团聚的方法，其特征在于，导电胶浆先后四次通过两组对辊之间的间隙，且每次通过两组...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁业海，熊胜虎，张苏苏，陈坚，王顺，朱小芳，万忠，徐清国，魏敬华，
申请(专利权)人：上海太阳能工程技术研究中心有限公司，
类型：发明
国别省市：