氧化物烧结体以及溅射标靶制造技术

本发明专利技术提供一种氧化物烧结体以及溅射标靶，适用于显示装置用氧化物半导体膜的制造的氧化物烧结体兼备高的导电性和相对密度，能够成膜具有高的载流子迁移率的氧化物半导体膜。本发明专利技术的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡、氧化铟的各粉末混合以及烧结而得到的氧化物烧结体，当对所述氧化物烧结体进行基于EPMA的面内组成映射时，在测定面积中所占的、Sn浓度为10～50质量％的区域的比率是70面积％以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩崎祐纪，后藤裕史，金丸守贺，
申请(专利权)人：株式会社钢臂功科研，
类型：
国别省市：