高纯度巯基硅烷化合物的制备方法技术

本发明专利技术提供一种高纯度的巯基硅烷化合物的制备方法及通过该制备方法制得的巯基硅烷化合物，所述高纯度的巯基硅烷化合物的制备方法可抑制由卤代烷氧基硅烷化合物的缩合等不令人满意的副反应而产生的副产物。本发明专利技术的高纯度巯基硅烷化合物的制备方法包括如下工序：在水、碳酸氢钠和/或碳酸氢钾及相转移催化剂的存在下，使含有卤素的有机硅化合物与碱性硫氢化物进行反应。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种巯基硅烷化合物的制备方法，其特征在于，该方法包括如下工序：在水、通式（V）所示的金属盐及相转移催化剂的存在下，使通式（I）所示的含有卤素的有机硅化合物与通式（IV）所示的碱性硫氢化物反应，制备通式（VI）所示的巯基硅烷化合物；Y–R1–X…（I）式（I）中，R1为碳原子数1～10的二元烷基或苯基；Y为通式（II）、通式（III）或以碳原子数1～8的一元烷基取代的杂氮硅三环基（N≡(CH2CH2O)3Si－）；X为卤素原子；式（II）中，R2、R3、R4各自相同或不同地为碳原子数1～18的一元烷基、碳原子数1～18的一元烷氧基、OH基或以CnH2n?1O－((CH2)mO)r所示的聚亚烷基二醇单烷基醚基，其中n为1～18、m为1～6、r为1～18；R2、R3、R4中的至少一个为烷氧基、OH基或聚亚烷基二醇单烷基醚基；式（III）中，R5为碳原子数1～18的一元烷氧基、OH基或以CnH2n?1O－((CH2)mO)r所示的聚亚烷基二醇单烷基醚基，其中n为1～18、m为1～6、r为1～18；R6、R7各自相同或不同地为碳原子数1～8的二元烷基；W为－C(＝O)－、－O－、－NR8－、－CR9R10－；R8、R9、R10 为碳原子数1～18的烷基或氢；MeSH…（IV）式（IV）中，Me为Na、K、NH4中的任意一种；MeHCO3…（V）式（V）中，Me为Na或K；Y–R1–SH…（VI）式（VI）中，R1及Y与通式（I）相同。FDA00003011893100011.jpg,FDA00003011893100012.jpg...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：市野智之，山田聿男，中村正吉，
申请(专利权)人：大曹株式会社，
类型：发明
国别省市：