导电层结构及应用该结构的自电容触摸屏制造技术

本申请公开了一种导电层结构及应用该导电层结构的自电容触摸屏，所述导电层结构在原有的通道电极覆盖区的边缘位置，增设与所述通道电极的长边方向平行的辅助通道电极，这样，当手指触摸到通道电极覆盖区的边缘位置时，利用辅助通道电极的触摸面积补偿通道电极的触摸面积，从而减小通道电极的触摸面积的损失，以改善应用该导电层结构的自电容触摸屏的边缘坐标偏移现象，进而改善自电容触摸屏的甩尾现象。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种导电层结构，应用于自电容触摸屏，其特征在于，包括：通道电极、辅助通道电极，以及与所述通道电极及辅助通道电极对应连接的多根外围走线；所述辅助通道电极设置在所述通道电极的覆盖区之外的一个或两个边缘位置，且所述辅助通道电极的长边与所述通道电极的长边平行。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李华，赵志亮，刘卫平，刘辉，
申请(专利权)人：敦泰科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：