导电层结构及应用该结构的自电容触摸屏制造技术

本申请公开了一种导电层结构及应用该结构的自电容触摸屏，所述导电层结构将与通道电极连接的外围走线设置为覆盖面积不同的走线，且通道电极的宽边连接的外围走线的面积大于通道电极的窄边连接的外围走线的面积；当手指触摸到通道电极与外围走线连接的边缘位置时，与传统的外围走线的面积基本相等的结构相比，与通道电极的宽边连接的外围走线的覆盖面积增大，利用外围走线的触摸面积补偿的通道电极的触摸面积增大，相对而言，触摸到通道电极的宽边一侧的触摸面积损失减小，甚至不损失，从而大大改善了自电容触摸屏边缘坐标偏移的现象。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种导电层结构，应用于自电容触摸屏，其特征在于，包括交叉平排列的通道电极，以及外围走线，其中，所述外围走线与所述通道电极连接，且与所述通道电极的宽边连接的所述外围走线的面积比与所述通道电极的窄边连接的所述外围走线的面积大。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵志亮，刘卫平，李华，刘辉，
申请(专利权)人：敦泰科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：