一种电容式触摸屏用ITO玻璃制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电容触摸屏用ITO玻璃，其依次层叠结合的玻璃基片、五氧化二铌膜层、二氧化硅膜层和氧化铟锡膜层。该电容触摸屏用ITO玻璃因增加一层五氧化二铌（Nb2O5）作为减反层，依据多层膜的光学干涉作用，使反射率减小，提高透过率，从而消除ITO图案底影，提高触摸屏的显示清晰度。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于触摸屏
，尤其涉及一种电容式触摸屏用ITO玻璃。
技术介绍
电容式触摸屏用ITO玻璃是一种透明导电玻璃，在钠钙型或硅硼型玻璃上，通过磁控溅射的方法镀上一层氧化铟锡膜(ΙΤ0)。当电容式触摸屏用于手机、GPS终端设备时，为了阻止钠钙型玻璃上的钠离子向液晶显示器盒内液晶扩散，还会在镀ITO膜之前，镀上一层二氧化硅(SiO2)阻挡层。通常，电容式触摸屏使用单面ITO镀膜玻璃，经刻蚀后形成图案，但是单面ITO玻璃的反射率较高，存在ITO图案底影现象，严重影响触摸屏的外观及产品性能。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种能消除ITO图案底影，改善触摸屏显示清晰度和显示效果的电容式触摸屏用ITO玻璃。本技术是这样实现的:一种电容触摸屏用ITO玻璃，包括玻璃基片和在所述玻璃基片的表面上依次层叠结合有二氧化硅膜层和氧化铟锡膜层，还包括层叠结合在所述玻璃基片与二氧化硅膜层之间的五氧化二铌膜层。优选地，所述五氧化二铌膜的厚度为50、100 A.优选地，所述二氧化硅膜的厚度为150 400 A,优选地，所述 氧化铟锡膜的厚度为200 500 A,,本技术提供的电容触摸屏用ITO玻璃通过在玻璃基片和二氧化硅膜层之间增加一层五氧化二铌(Nb2O5)作为减反层，依据多层膜的光学干涉作用，使反射率减小，提高透过率，从而消除ITO图案底影，提高该电容式触摸屏用ITO玻璃的显示清晰度和显示效果O附图说明图1是本技术实施例提供的电容触摸屏用ITO玻璃的结构示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。本技术实施例提供一种能消除ITO图案底影，改善触摸屏显示清晰度和显示效果的电容式触摸屏用ITO玻璃。该电容式触摸屏用ITO玻璃的结构如图1所示，其包括依次层叠结合的玻璃基片1、五氧化二铌膜层4、二氧化硅膜层2和氧化铟锡膜层3。这样，该电容触摸屏用ITO玻璃通过在玻璃基片I和二氧化硅膜层2之间增加了作为减反层的五氧化二铌(Nb2O5)膜层4，依据多层膜的光学干涉作用，使反射率减小，提高透过率，从而消除ITO图案底影，提高触摸屏的显示清晰度和显示效果。作为本技术优选实施例，图1所示的上述五氧化二铌膜层4的厚度为50 100 A,二氧化硅膜层2的厚度为150 400 A，氧化铟锡膜层3的厚度为200 500 A,在该实施例中，通过调整各膜层的厚度，使得各层之间的光学干涉作用发挥至最佳，进一步降低其对光线的反射现象，提高光的透过率，达到消除ITO图案底影的效果更好，使得触摸屏的显示清晰度和显示效果更好。另外，上述五氧化二铌膜层4、二氧化硅膜层2和氧化铟锡膜层3可以在上述玻璃基片I的任一表面上依次层叠结合，也可以分别在上述玻璃基片I的两个表面上依次层叠结合，形成双面消影ITO玻璃。作为具体实施例，上述电容触摸屏用ITO玻璃的制备方法如下，主要步骤为:(I)将玻璃基片进行平板清洗、吹干；(2)将玻璃上架装片；(3)采用真空磁控溅射依 次镀五氧化二铌膜层4、二氧化硅膜层2和氧化铟锡膜层3，得到该电容式触摸屏用ITO玻璃。具体地，上述步骤(I)中对玻璃基片进行平板清洗的方法按照现有的常规方法进行即可。上述步骤(3)真空磁控溅射所用的设备可以是立式全自动连续磁控溅射镀膜机，其各项参数设置如下:镀膜温度180°C ^280°C ;镀膜室传动节拍120秒；使用I个Nb2O5靶镀Nb2O5膜层4，使用3个SiO2靶镀SiO2膜层2，使用2个ITO靶镀ITO膜层3，其中Nb2O5溅射功率为4.5kff 9kW，SiO2溅射功率为IOkW 50kW，ITO溅射功率为IOkW 50kW ；02流量 100 130Sccm, Ar 流量 200 220Sccm，真空度 1.0XKT1Pa 4.5 X KT1Pa,总气压0.40 0.45Pa。以下通过具体实施例进一步说明本技术。实施例1:一种电容触摸屏用ITO玻璃，包括半钢化玻璃基片，在该半钢化玻璃基片的一表面依次层叠结合有五氧化二铌(Nb2O5)膜层、二氧化硅(SiO2)膜层和氧化铟锡(ITO)膜层。其中，该Nb2O5膜厚为50 A, SiO2膜厚为300A，ITO膜厚为250 A0该电容触摸屏用ITO玻璃制备方法如下:首先，将半钢化玻璃基片进行平板清洗、吹干；然后，将半钢化玻璃上架装片；设置镀膜机参数，在半钢化玻璃的一表面上依次镀五氧化二铌膜层、二氧化硅膜层和氧化铟锡膜层。其中，镀各膜层采用立式全自动连续磁控溅射镀膜机，半钢化玻璃基片加热温度2800C ;镀膜室传动节拍120秒；使用I个Nb2O5靶镀Nb2O5膜，使用3个SiO2靶镀SiO2膜，使用2个ITO靶镀ITO膜，其中镀Nb2O5溅射功率5kW，镀SiO2溅射功率15kW，镀ITO溅射功率 20kff ；02 流量 IOOSccm, Ar 流量 200Sccm，真空度 2 X KT1Pa,总气压 0.4Pa。在上述制备的单面电容触摸屏用ITO玻璃中，在玻璃基片上依次镀有Nb2O5膜层和SiO2膜层时的透过率为90.5%(波长为550nm时测定，以下所述透过率均为在此波长条件下测定)；在玻璃基片上单独镀有ITO膜层时的透过率为89.0%，ITO膜层面电阻为80 Ω / □;上述制备的单面电容触摸屏用ITO玻璃的透过率为91%。人眼不能显著看到玻璃上ITO图案，即基本消除了 ITO图案底影。实施例2:一种电容触摸屏用ITO玻璃，包括半钢化玻璃基片，在该半钢化玻璃基片的一表面依次层叠结合有五氧化二铌(Nb2O5)膜层、二氧化硅(SiO2)膜层和氧化铟锡(ITO)膜层。其中，该Nb2O5膜厚为55 A，SiO2膜厚为250A，ITO膜厚为300 A.该电容触摸屏用ITO玻璃制备方法如下:首先，将半钢化玻璃基片进行平板清洗、吹干；然后，将半钢化玻璃上架装片；设置镀膜机参数，在半钢化玻璃的一表面上依次镀五氧化二铌膜层、二氧化硅膜层和氧化铟锡膜层。其中，镀各膜层采用立式全自动连续磁控溅射镀膜机，半钢化玻璃基片加热温度2800C ;镀膜室传动节拍120秒；使用I个Nb2O5靶镀Nb2O5膜，使用3个SiO2靶镀SiO2膜，使用2个ITO靶镀ITO膜，其中镀Nb2O5溅射功率5kW，镀SiO2溅射功率10kW，镀ITO溅射功率 22kff ；02 流量 IlOSccm, Ar 流量 200Sccm，真空度 2 X KT1Pa,总气压 0.4Pa。在上述制备的单面电容触摸屏用ITO玻璃中，在玻璃基片上依次镀有Nb2O5膜层和SiO2膜层时的透过率为90.1% ;在玻璃基片上单独镀有ITO膜层时的透过率为89.0%，ITO膜层面电阻为60Ω/口 ；上述制备的单面电容触摸屏用ITO玻璃的透过率为90.5%。人眼不能显著看到玻璃上ITO图案，即基本消除了 ITO图案底影。实施例3:一种电容触摸屏用ITO玻璃，包括半钢化玻璃基片，在该半钢化玻璃基片的一表面依次层叠结合有五氧化二铌(Nb2O5)膜层、二氧化硅(SiO2)膜层和氧化铟锡(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容触摸屏用ITO玻璃，包括玻璃基片和在所述玻璃基片的表面上依次层叠结合有二氧化硅膜层和氧化铟锡膜层，其特征在于：还包括层叠结合在所述玻璃基片与二氧化硅膜层之间的五氧化二铌膜层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：樊斌杰，许东东，杨春云，李俊杰，陈凯，黄海东，
申请(专利权)人：深圳力合光电传感股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：