芯片间接口转换电路和网络设备制造技术

技术编号:9239873 阅读:264 留言:0更新日期:2013-10-10 03:36
本发明专利技术实施例提供一种芯片间接口转换电路和网络设备。该电路包括第一光耦和第二光耦;第一光耦的第一二极管的阳极与第一电压源连接,阴极与第一数据端口连接;第一光耦的第一三极管的集电极分别与第二数据端口和第二电压源连接,发射极接地;第二光耦的第二二极管的阳极与第二电压源连接,阴极与第二数据端口连接;第二光耦的第二三极管的集电极分别与第一数据端口和第一电压源连接,发射极接地;第一三极管的集电极与第二二极管的阴极连接,第二三极管的集电极与所述第一二极管的阴极连接。本发明专利技术实施例提供的芯片间接口转换电路可实现芯片间信号的双向通讯,且兼容不同规格的供电控制芯片。

【技术实现步骤摘要】
芯片间接口转换电路和网络设备
本专利技术实施例涉及光电转换技术,尤其涉及一种芯片间接口转换电路和网络设备。
技术介绍
随着信息技术和视频监控行业的不断发展,网络摄像头用于户外越来越广泛,网络供电设备(PowerSupplyEquipment,简称PSE)的供电技术也应运而生,与此同时作为供电主体的网络视频录像机(NetworkVideoRecorder,简称NVR)对需对网络供电进行管理,NVR芯片与供电控制芯片之间的通信显得越来越重要。通常,在NVR中配置有NVR主芯片和供电控制芯片(PSE芯片),NVR主芯片用于控制NVR整个系统的运行,作为整体控制中心,同时,NVR主芯片通过PSE芯片连接至供电受体的供电设备,例如IPC等,PSE芯片用来实现对网络供电的有效控制。在监控产品中,PSE芯片和NVR主芯片中分别带有I2C(内置集成电路,inter-integratedcircuit)接口,两芯片通过I2C接口相连,便于NVR主芯片获取PSE芯片的工作状态,有效控制网络摄像机的供电。但是PSE芯片需要50V左右的高压供电,而NVR主芯片工作在5V左右低压状态,两者不能直连通讯,需要在NVR主芯片和PSE芯片之间添加接口防护电路,来保障NVR主芯片与PSE主芯片之间的稳定有效通信。目前在现有技术中,PSE芯片采用单向光耦来做I2C电平隔离转换,PSE芯片端将串行数据(Seriousdata,简称SDA)信号分成串行数据输入(Seriousdatainput,简称SDAI)和串行数据输出(Seriousdataoutput,简称SDAO),原来的双向信号分解为输入和输出的单向信号,即将标准的I2C信号分解为时钟、输入和输出,三根线的信号,通过单向光耦来实现I2C中的串行时钟(Seriousclock,简称SCL)、串行数据输入(SeriousDataInput,简称SDAI)和串行数据输出(SeriousDataOutput,简称SDAO)传输,SDAI和SDAO可统称为SDA。但是现有技术也存在一定缺陷,一方面无法实现SDA的双向通讯,另一方面也不是所有厂家的PSE芯片都是将SDA信号分为SDAI和SDAO,存在兼容性差问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种芯片间接口转换电路和网络设备,用以解决以上现有技术的缺陷,实现I2C的稳定通讯,尤其是SDA信号的双向通讯,兼容不同规格的PSE芯片。第一方面,本专利技术实施例提供一种芯片间接口转换电路,包括:第一光耦和第二光耦,其中所述第一光耦包括第一二极管和第一三极管,所述第二光耦包括第二二极管和第二三极管;所述第一二极管的阳极与第一电压源连接,所述第一二极管的阴极与第一数据端口连接;所述第一三极管的集电极分别与第二数据端口和第二电压源连接,所述第一三极管的发射极接地;所述第二二极管的阳极与所述第二电压源连接,所述第二二极管的阴极与所述第二数据端口连接;所述第二三极管的集电极分别与所述第一数据端口和所述第一电压源连接,所述第二三极管的发射极接地;所述第一三极管的集电极与所述第二二极管的阴极连接,所述第二三极管的集电极与所述第一二极管的阴极连接。在第一方面的第一种可能的实现方式中,所述第二三极管的集电极通过第一电阻与所述第一二极管的阴极连接,且所述第一电阻为可调节电阻。在第一方面的第二种可能的实现方式中,所述第一三极管的集电极通过第二电阻与第二电压源连接;所述第二三极管的集电极通过第三电阻与第一电压源连接。在第一方面的第三种可能的实现方式中,所述第一三极管的集电极通过第四电阻与所述第二二极管的阴极连接,且所述第四电阻为可调节电阻;在第一方面的第四种可能的实现方式中,所述第一电压源通过第五电阻与所述第一二极管的阳极连接;所述第二电压源通过第六电阻与所述第二二极管的阳极连接。在第一方面的第五种可能的实现方式中,所述第一三极管的发射极通过第七电阻接地;所述第二三极管的发射极通过第八电阻接地。第二方面,本专利技术实施例提供一种网络设备,包括主芯片和供电控制芯片,其中,所述主芯片和供电控制芯片各自的内置集成电路的数据端口之间通过本专利技术任意实施例提供的芯片间接口转换电路相连。在第二方面的第一种可能的实现方式中,所述转换电路与各芯片数据端口的连接点还与各芯片的时钟端口相连。在第二方面的第一种可能的实现方式中,所述主芯片为网络视频录像机主芯片。本专利技术实施例提供的芯片间接口转换电路,通过多个分立器件搭建转换电路,实现高电平信号和低电平信号的有效传输,解决了PSE芯片和NVR主芯片之间信号的双向传输通讯,并可兼容不同规格的PSE芯片。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例一提供的芯片间接口转换电路的结构示意图;图2为本专利技术实施例提供的网络设备的工作拓扑图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。图1为本专利技术实施例一提供的芯片间接口转换电路的结构示意图。在网络设备中一般会设置主芯片和供电控制芯片,供电控制芯片即PSE芯片。两芯片各自设有I2C接口,两I2C接口之间通过芯片间接口转换电路相连。以NVR作为网络设备为例,主芯片即为NVR主芯片。以下均以NVR主芯片为例进行说明,但本领域技术人员可以理解,其他网络设备的主芯片也可适用此电路。该芯片间接口转换电路设置在NVR主芯片和PSE芯片之间,为通讯接口的光电转换电路。NVR主芯片和PSE芯片的I2C接口分别设置有时钟端口和数据端口,数据端口记为SDA_NVR和SDA_PSE,时钟端口记为SCL。数据端口分别与各芯片内部的信号源相连来传输数据信号,数据信号以高电平和低电平的电压信号来表示。时钟端口与芯片内部时钟源相连,同样以高电平和低电平的脉冲电压信号传输时钟信号。如图1所示:该芯片间接口转换电路包括第一光耦U1和第二光耦U2,其中第一光耦U1包括第一二极管D1和第一三极管T1,第二光耦U2包括第二二极管D2和第二三极管T2。两个二极管D1和D2分别为发光二极管,在导通时发光,两个三极管T1和T2的基极与对应的二极管对应设置,在二极管发光时三极管导通。第一二极管D1的阳极P1与第一电压源VCC1连接,第一二极管D1的阴极N1与第一数据端口SDA_PSE连接;第一三极管T1的集电极C1分别与第二数据端口SDA_NVR和第二电压源VCC2连接,第一三极管T1的发射极E1接地;第二二极管D2的阳极P2与第二电压源VCC2连接,第二二极管D2的阴极N2与第二数据端口SDA_NVR连接;第二三极管T2的集电极C2分别与第一数据端口SDA_PSE和第一电压源VCC2连接,第二三极管T2的发射极E2接地;第一三极管的集电极C1与第二二极管的阴本文档来自技高网
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芯片间接口转换电路和网络设备

【技术保护点】
一种芯片间接口转换电路,其特征在于,包括第一光耦和第二光耦,其中所述第一光耦包括第一二极管和第一三极管,所述第二光耦包括第二二极管和第二三极管;所述第一二极管的阳极与第一电压源连接,所述第一二极管的阴极与第一数据端口连接;所述第一三极管的集电极分别与第二数据端口和第二电压源连接,所述第一三极管的发射极接地;所述第二二极管的阳极与所述第二电压源连接,所述第二二极管的阴极与所述第二数据端口连接;所述第二三极管的集电极分别与所述第一数据端口和所述第一电压源连接,所述第二三极管的发射极接地;所述第一三极管的集电极与所述第二二极管的阴极连接,所述第二三极管的集电极与所述第一二极管的阴极连接。

【技术特征摘要】
1.一种芯片间接口转换电路,其特征在于,包括第一光耦和第二光耦,其中所述第一光耦包括第一二极管和第一三极管,所述第二光耦包括第二二极管和第二三极管;所述第一二极管的阳极与第一电压源连接,所述第一二极管的阴极与第一数据端口连接;所述第一三极管的集电极分别与第二数据端口和第二电压源连接,所述第一三极管的发射极接地;所述第二二极管的阳极与所述第二电压源连接,所述第二二极管的阴极与所述第二数据端口连接;所述第二三极管的集电极分别与所述第一数据端口和所述第一电压源连接,所述第二三极管的发射极接地;所述第一三极管的集电极与所述第二二极管的阴极连接,所述第二三极管的集电极与所述第一二极管的阴极连接;所述第二三极管的集电极通过第一电阻与所述第一二极管的阴极连接;所述第一电阻为可调节电阻;所述第一三极管的集电极通过第二电阻与第二电压源连接;所述第二三极管的集电极通过第三电阻与第一电压源连接;所述第一三...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨丑刚余健洪李远辉
申请(专利权)人:华为技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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