【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种新型的异质结太阳能电池，其特征在于，它包括：一P型单晶硅衬底，其具有一正面和一背面；一欧姆接触层，位于P型单晶硅衬底的背面上；一超晶格结构P+层，包括至少两层沉积在一起的P+复合层，该P+复合层由下至上依次包括P+窄禁带层和P+宽禁带层，P+窄禁带层的禁带宽度Eg1＜1.2eV，P+宽禁带层的禁带宽度Eg2＞1.5eV，并且每层P+复合层中的P+宽禁带层沉积在P+窄禁带层的上表面上，最下层P+复合层的P+窄禁带层沉积在P型单晶硅衬底的正面上；一浅掺杂P型层，其沉积在最上层P+复合层的P+宽禁带层的上表面上；一钝化层，其沉积在浅掺杂P型层的上表面上；一超晶格结构N型层，包括至少两层沉积在一起的N型复合层，该N型复合层由下至上依次包括N型宽禁带层和N型窄禁带层，N型窄禁带层的禁带宽度Eg3＜1.2eV，N型宽禁带层的禁带宽度Eg4＞1.5eV，并且每层N型复合层中的N型窄禁带层沉积在N型宽禁带层的上表面上，最下层N型复合层的N型宽禁带层沉积在钝化层的上表面上；一透明导电膜层，其沉积在最上层N型复合层的N型窄禁带层的上表面上；一电极层，其位于透明导电膜层的上表面上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：崔艳峰，袁声召，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：
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