半导体膜以及太阳能电池制造技术

本发明专利技术提供一种成为带隙和电阻率、或者带隙和载流子浓度都适于太阳能电池的值的半导体膜。在本发明专利技术中，半导体膜由以用下述组成式(1)示出的比例来含有IB族元素、IIB族元素、IIIA族元素以及VIA族元素的半导体而构成。AxByCzDw????(1)(在组成式(1)中，A表示IB族元素，B表示IIB族元素，C表示IIIA族元素，D表示VIA族元素。x、y、z以及w是表示组成比的数、且x和z满足x/z＞1的关系)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体膜以及具备该半导体膜的太阳能电池。
技术介绍
为使太阳能电池高效率化，将分别吸收短波段、中波段、长波段的多个太阳能电池层叠起来的多接合太阳能电池大有希望。最能支配多接合太阳能电池的效率的是光最初入射的短波段的太阳能电池(顶部电池)的效率。因此，使顶部电池的高效率化最重要。由于具有黄铜矿结构的半导体的带隙是通过适当选择IB族元素、IIIA族元素、VIA族元素来控制的，因此可形成从该半导体吸收适于顶部电池的短波段的半导体层。然而，在作为具有黄铜矿结构的半导体而使用了带隙为1. 3eV以上的Cu(In，Ga)Se2、CuGaSe2、·CuInS2Xu (In，Ga) S2等的情况下，如果该半导体的带隙变大，则太阳能电池的变换效率就会从理论值急剧下降。作为其原因之一可列举带隙的扩大与开路电压的增加之间的比例关系瓦解，从而导致开路电压增加的比例下降。进而，由于带隙的扩大导致量子效率下降、即无法获得与带隙相应的短路电流密度也会成为效率下降的要因。作为其原因可以列举半导体中的缺陷随着带隙扩大而增加，由此容易产生载流子再结合且载流子浓度下降。与之相对，在半导体膜中掺杂Zn来提高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.13 JP 2010-2046151.一种半导体膜，其由半导体构成，该半导体以下述组成式(I)所表示的比例含有IB族元素、IIB族元素、IIIA族元素以及VIA族元素， AxByCzDw(I) 在该组成式(I)中，A表示IB族元素，B表示IIB族元素，C表示IIIA族元素，D表示VIA族元素，x、y、z以及w是表示组成比的数,且X和z满足x/z > I的关系。2.根据权利要求1所述的半导体膜，其中， 所述组成式⑴中的X和z满足I < x/z≤2的关系。3.根据权利要求1或2所述的半导体膜，其中， 所述组成式(I)中的x、y以及z满足O < y/ (x+y+z)≤0. 6的关系。4.根据权利要求1至3任一项所述的半导体膜，其中， 所述组成式(I)中的x、y、z以及w满足0. 8≤w/ (x+y+z)≤1. 2的关系。5.根据权利要求1至4任一项所述的半导体膜，其中， 所述半导体作为IB族元素而含有Cu以及Ag中的至少一方，作为IIB...

【专利技术属性】
技术研发人员：根上卓之，山本辉明，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：