有机电致发光显示单元、其制造方法以及滤色片基板技术

本发明专利技术提供了有机电致发光显示单元、其制造方法以及滤色片基板。本发明专利技术还提供了一种显示器件。所述显示器件包括第一电极、包括发光区域的有机层以及第二电极。所述显示器件还包括与所述第二电极电连接并包括与所述发光区域对应的开口的导电层。

【技术实现步骤摘要】
有机电致发光显示单元、其制造方法以及滤色片基板
本专利技术涉及一种利用有机EL效应显示图像的有机电致发光（EL）显示单元（displayunit）、该有机电致发光显示单元的制造方法、以及在这种有机EL显示单元中使用的滤色片基板（滤色器基板，colorfiltersubstrate）。
技术介绍
近年来，作为液晶显示单元的替代，使用有机电致发光器件（以下简称为“有机EL器件”）的有机电致发光显示单元（以下简称为“有机EL显示单元”）受到了关注。有机EL显示单元为自发光型，功耗低。此外，由于有机EL显示单元对高清高速视频信号来说视角较广、对比度优越、响应度足够，因此该有机EL显示单元已被积极开发并商业化以实际用于下一代平板显示单元。特别地，对包括发光控制用薄膜晶体管（TFT）的有源矩阵（AM）型有机EL显示单元进行了积极研究。在这种有源矩阵型有机EL显示单元具有TFT被设置在有机EL器件下方并从有机EL器件的底部提取光的底部发光型的情况下，光仅通过没有设置TFT的部分以便从有机EL显示单元出射。因此，孔径比容易下降。另一方面，在从有机EL器件的顶部提取光的顶部发光型有机EL显示单元中，可抑制孔径比下降，然而，将透明导电膜用于上部电极（对置电极）。由于上部电极形成为厚度较薄，因此该上部电极的电阻较高，由此导致IR下降（电压降）。IP下降是由以下原因造成的。虽然通过上部电极为每个像素提供了电子或空穴，但通常的上部电极被形成为各个像素用共用电极，并且仅在基板的端部设置上部电极的馈电点。因此，当电阻比下部电极的电流供应线路高的透明导电膜用于上部电极时，不可忽视按照馈电点至每个像素的距离的布线电阻的变化。因此，当馈电点和像素之间的距离增加时，施加给每个像素的有机EL器件的有效电压下降明显，并且面内亮度变化明显。因此，提出了一种通过下述抑制有效电压下降的技术，将由低电阻材料制成的辅助电源线设置在设置有TFT的驱动基板中并将辅助电源线电连接至上部电极，从而利用该辅助电源线提供电流（例如，参照日本未审查专利申请公开号2001-230086）。然而，在该技术中，必须避免有机物质粘附到辅助电源线上，并且当有机层通过例如蒸发法由低分子材料形成时，就需要覆盖辅助电极的精密加工蒸发掩模。典型的蒸发掩模通过蚀刻厚度大约为10μm-100μm的金属板或通过电铸来形成。即使使用了这些处理方法中的任何一种，也难以形成清晰度较高的蒸发掩模，特别是难以形成用于大型产品的蒸发掩模。另外，在使用经精密加工的蒸发掩模的情况下，蒸发掩模必须精确对齐以便进行蒸发。由于在蒸发过程中温度上升是由蒸发源的辐射热造成的，因此，蒸发掩模和基板之间的热膨胀系数的差容易引起错位等。对这种技术来说就难以解决尺寸增大或面板清晰度。另一方面，当采用为所有电极设置共用发光层（例如，白光或蓝光）的配置时，没有必要给像素的发光层标上颜色代码；由此获得足够大的开口宽度，并且没有必要对上述蒸发掩模进行精密加工。因此，很容易处理尺寸增大或面板清晰度。然而，仅可能在基板的端部向上部电极馈送电力，因此无法避免由上述IR下降导致的发光亮度变化。因此，提出了一种顶部发光型有机EL显示单元，其具有对置基板（countersubstrate）中包括电连接至上部电极的辅助电极的配置（例如，参照日本未审查专利申请公开号2011-103205）。
技术实现思路
当辅助电极形成在对置基板中时，如在日本未审查专利申请公开号2011-103205中描述的技术一样，需要对对置基板上的导电膜材料进行图案化。希望实现一种显示单元，其能够通过利用简单工艺高精度地执行图案化，特别是减少由尺寸或清晰度增加造成的发光亮度变化，来提高显示质量。希望提供一种能够通过减少由尺寸或清晰度增加造成的发光亮度变化而提高显示质量的有机电致发光（EL）显示单元、该有机EL显示单元的制造方法以及在该有机EL显示单元中使用的滤色片基板。在一个实施方式中，一种显示器件包括第一电极、包括发光区域的有机层以及第二电极。所述显示器件还包括与所述第二电极电连接并包括与所述发光区域对应的开口的导电层。在另一个实施方式中，一种显示装置包括显示器件，所述显示器件包括第一电极、包括发光区域的有机层以及第二电极。所述显示器件还包括与所述第二电极电连接并包括与所述发光区域对应的开口的导电层。在另一个实施方式中，一种电子器件包括显示器件，所述显示器件包括第一电极、包括发光区域的有机层以及第二电极。所述电子器件还包括与所述第二电极电连接并包括与所述发光区域对应的开口的导电层。在另一个实施方式中，一种显示器件的制造方法包括形成第一电极、包括发光区域的有机层以及第二电极，以及形成与所述第二电极电连接并包括与所述发光区域对应的开口的导电层。附图说明为了提供对本技术的进一步理解，包含附图，并且将附图并入本说明书并且构成本说明书的一部分。附图示出了实施方式，并且与本说明书一起用来阐述本技术的原理。图1是示出了根据本专利技术的第一实施方式的有机EL显示单元的配置的剖视图。图2是示出了图1中所示的对置基板的具体配置的剖视图。图3是示出了图1中所示的对置基板的主要部分的配置的示意性平面图。图4A及图4B是用于描述形成图1中所示的器件基板的步骤的剖视图。图5A及图5B是示出了图4A及图4B之后的步骤的剖视图。图6A及图6B是示出了图5A及图5B之后的步骤的剖视图。图7是示出了图6A及图6B之后的步骤的剖视图。图8A及图8B分别是用于描述形成图1中所示的对置基板的步骤的剖视图和平面图。图9A及图9B是分别示出了图8A及图8B之后的步骤的剖视图和平面图。图10A及图10B是分别示出了图9A及图9B之后的步骤的剖视图和平面图。图11A及图11B是分别示出了图10A及图10B之后的步骤的剖视图和平面图。图12A-12C是用于描述将器件基板和对置基板粘合在一起的步骤的剖视图。图13A及图13B是示出了密封树脂的填充量和密封树脂的接触之间的关系的SEM照片。图14A及图14B是示出了密封树脂的填充量和密封树脂的接触之间的关系的SEM照片。图15A-15D是示出了密封层的外部区域的配置的示意性平面图。图16是示出了实施例和比较例的遮光层（light-shieldinglayer）的反射率的图。图17是示出了根据变型1的对置基板的具体配置的剖视图。图18是示出了图17中所示的对置基板的主要部分的配置的示意性平面图。图19A及图19B分别是用于描述形成图17中所示的对置基板的步骤的剖视图和平面图。图20A及图20B分别是示出了图19A及图19B之后的步骤的剖视图和平面图。图21A及图21B分别是示出了图20A及图20B之后的步骤的剖视图和平面图。图22是示出了根据本专利技术的第二实施方式的有机EL显示单元的对置基板的具体配置的剖视图。图23是示出了图22中所示的对置基板的主要部分的配置的示意性平面图。图24A及图24B分别是用于描述形成图22中所示的对置基板的步骤的剖视图和平面图。图25A及图25B分别是示出了图24A及图24B之后的步骤的剖视图和平面图。图26A及图26B分别是示出了图25A及图25B之后的步骤的剖视图和平面图。图27是示出了根据变型2的对置基板的具体配置的剖视图。图28是示出了图27本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示器件，包括：第一电极、包括发光区域的有机层和第二电极；以及与所述第二电极电连接并包括与所述发光区域对应的开口的导电层。

【技术特征摘要】
2012.03.21 JP 2012-0631361.一种显示器件，包括：第一电极、包括发光区域的有机层和第二电极；以及与所述第二电极电连接并包括与所述发光区域对应的开口的导电层，其中在所述开口中形成有选自红色滤色片层、绿色滤色片层以及蓝色滤色片层中的至少一个滤色片层，所述导电层是包括无机遮光层和低电阻层的层压膜，并且所述滤色片层的至少一部分形成为覆盖所述低电阻层的边缘，导电膜形成在所述滤色片层和所述低电阻层上，所述显示器件进一步包括在所述导电膜和所述滤色片层之间形成并且在所述低电阻层和所述无机遮光层之间形成的覆盖层。2.根据权利要求1所述的显示器件，其中导电膜将所述导电层电连接到所述第二电极。3.根据权利要求2所述的显示器件，其中所述导电层和所述导电膜的至少一部分与所述第二电极间隔开。4.根据权利要求2所述的显示器件，其中在所述导电膜的部分和所述第二电极之间形成有胶粘密封层。5.根据权利要求2所述的显示器件，其中所述导电膜形成在包括滤色片和黑底中的至少一个的CF/BM层上。6.根据权利要求2所述的显示器件，其中在所述导电膜和导电层之间形成有柱状物，所述柱状物在所述导电层和所述第二电极之间延伸并被配置使得所述导电膜的形成在所述柱状物的远端部分上的部分与所述第二电极接触。7.根据权利要求6所述的显示器件，其中所述柱状物具有弹性。8.根据权利要求1所述的显示器件，其中所述导电层是包括无机遮光层和低电阻层的层压膜。9.根据权利要求8所述的显示器件，其中所述无机遮光层选自由SiN/a-Si(非晶硅)/Mo的三层层压膜以及MoOx/Mo/MoOx/Mo的四层层压膜组成的组，其中在任何一种膜中，外Mo层最靠近低电阻层侧。10.根据权利要求8所述的显示器件，其中所述低电阻层的电阻率低于上部电极的电阻率。11.根据权利要求10所述的显示器件，其中所述低电阻层包括具有比Mo更低电阻率的至少一种无机膜。12.根据权利要求1所述的显示器...

【专利技术属性】
技术研发人员：山北茂洋，山田二郎，石井孝英，荒井俊明，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：