一种高稳定性的薄膜电阻器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种高稳定性的薄膜电阻器及其制造方法，其中，薄膜电阻器由基板，附着于基板上表面的薄膜电阻层，附着于基板下表面的下电极，以及附着于薄膜电阻层上表面的上电极组成。其方法是通过对电阻器的电阻温度系数进行特殊的控制，从而大幅降低电阻温度系数的薄膜电阻器。本发明专利技术解决现有薄膜电阻器稳定性比较差，不能满足高稳定性的要求的技术问题。本发明专利技术具有精度高、频率高，以及体积小等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种高稳定性的薄膜电阻器及其制造方法
本专利技术涉及半导体领域，具体涉及一种高稳定性的薄膜电阻器及其制造方法。
技术介绍
电阻器是电路中应用最为广泛的无源元件之一，在电路中主要起电源去耦、晶体管工作点偏置、网络匹配以及间级耦合等作用。随着电子产品不断向高频化、小型化和高可靠性和高稳定性方向的发展，要求电阻元件尺寸越来越小、使用频率越来越高(20GHz以上)、电阻精度和可靠性越来越高、稳定性越来越高（即电阻温度系数TCR越来越小），甚至要求电阻温度系数TCR（TemperatureCoefficientofResistance,TCR）等于零（0±30ppm/℃）。传统的电阻器一般采用厚膜工艺制造，即通过印刷的方法将电阻和电极浆料涂覆在陶瓷基板上，然后经过高温烧结分别形成电阻层和电极层，从而构造出电阻器。专利CN101295569A、CN1525498A、CN1977347A、CN101203922A、CN1524275A、CN1325117A等专利文件公开的电阻器的制造方法，均是厚膜工艺。浆料在烧结之后存在大量的玻璃成分，玻璃的微波特性比较差，因此厚膜电阻的使用频率比较低，微波性能较本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高稳定性的薄膜电阻器，其特征在于：所述高稳定性的薄膜电阻器由基板，附着于基板上表面的薄膜电阻层，附着于基板下表面的下电极，以及附着于薄膜电阻层上表面的上电极组成。

【技术特征摘要】
1.一种高稳定性的薄膜电阻器，其特征在于：所述高稳定性的薄膜电阻器由基板，附着于基板上表面的薄膜电阻层，附着于基板下表面的下电极，以及附着于薄膜电阻层上表面的上电极组成；所述薄膜电阻层由AlN薄膜层和TaN薄膜层组成；所述AlN薄膜层附着于基板的上表面，所述TaN薄膜层附着于AlN薄膜层的上表面；所述上电极附着于TaN薄膜层的上表面；所述上电极由两块组成；电极块之间通过TaN薄膜层连接在同一个表面上；所述膜电阻器的电阻温度系数为零0±30ppm/℃。2.根据权利要求1所述的高稳定性的薄膜电阻器，其特征在于：所述AlN薄膜层的厚度为50-5000埃。3.根据权利要求2所述的高稳定性的薄膜电阻器，其特征在于：所述TaN薄膜层的厚度为50-5000埃。4.根据权利要求1所述的高稳定性的薄膜电阻器，其特征在于：所述的基板为陶瓷基板或氧化铝基板。5.根据权利要求4所述的高稳定性的薄膜电阻器，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨俊锋，庄严，庄彤，冯毅龙，丁明健，李杰成，
申请(专利权)人：广州天极电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：