一种光导锑化铟晶片刻槽腐蚀液制造技术

技术编号:9193710 阅读:199 留言:0更新日期:2013-09-25 22:52
一种光导锑化铟晶片刻槽腐蚀液,本发明专利技术涉及制备光导锑化铟半导体红外器件用的化学腐蚀液。腐蚀液包含双氧水、氢氟酸、去离子水、冰醋酸、乙醇。该腐蚀液具有很高的选择性腐蚀比,刻蚀速率易于控制,对阻挡层掩膜要求较低,且配比简单,现配现用,腐蚀完毕后易于清洗。能应用于锑化铟的槽刻蚀,与器件工艺兼容性好。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种光导锑化铟晶片刻槽腐蚀液,其特征是:由双氧水、氢氟酸、去离子水、冰醋酸、乙醇按1:1:2:2:1的配比混合而成,具有良好的选择性,腐蚀图形轮廓清晰,边沿整齐。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘晞贤
申请(专利权)人:陕西华星电子集团有限公司
类型:发明
国别省市:

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