四氟乙烯硅片腐蚀装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种四氟乙烯硅片腐蚀装置，它包括：2个腐蚀槽和1个样片篮组成，腐蚀槽为长方体结构，底面和四个侧面密封，上面敞开，样片篮也为长方体结构，样片篮的样品放置位置设计成隔断结构，每个隔断空间可以让一对样片竖直的放入，样片篮内的隔断板为实板，底面和四个侧面均为成孔板，孔密度10000个/m2，其中一个侧面设计成提手，其提手高度为另一个侧面高度的两倍；所述的样片篮内的隔断板为四氟乙烯材质实板，样片篮的底面和四个侧面均为四氟乙烯材质孔板。样片篮的高度低于腐蚀槽的高度。本实用新型专利技术经实际使用验证，其具有低损耗，使用寿命长，可操作性强等优点。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种四氟乙烯硅片腐蚀装置，它包括：二个腐蚀槽(1)和一个样片篮(2)组成，其特征在于：腐蚀槽(1)为长方体结构，底面和四个侧面密封，上面敞开，样片篮(2)也为长方体结构，样片篮(2)的样品放置位置设为多个隔断结构，每个隔断空间可以让一对样片竖直的放入，样片篮(2)内的隔断板为实板，底面和四个侧面均为成孔板，孔密度10000个/m2，其中一个侧面设计成提手，其提手高度为另一个侧面高度的两倍。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：穆玥，魏文昌，翁博丰，刘松林，李咏梅，
申请(专利权)人：陕西天宏硅材料有限责任公司，
类型：实用新型
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