双咔唑衍生物及使用其的有机电致发光元件制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】双咔唑衍生物及使用其的有机电致发光元件
本专利技术涉及双咔唑衍生物以及使用其的有机电致发光元件，特别是涉及发光效率高、寿命长的有机电致发光元件以及实现其的双咔唑衍生物。
技术介绍
由阴极注入的电子与由阳极注入的空穴在被两极夹着的有机发光体内再结合时发光的有机薄膜发光元件的研究近年得到活跃进行。这种发光元件的特征在于，薄型且低驱动电压下的高亮度发光、和通过选择发光材料实现的多色发光，受到关注。若对有机电致发光元件(以下称为有机EL元件。)施加电压，则分别由阳极将空穴，且由阴极将电子注入到发光层。接着在发光层中，所注入的空穴与电子再结合，形成激发子。此时，通过电子自旋的统计规则，以25%:75%的比率生成单重态激发子和三重态激发子。根据发光原理分类时，对于荧光型而言，使用利用单重态激发子的发光，因此有机EL元件的内部量子效率，25%是极限。另一方面已知，对于磷光型而言，使用利用三重态激发子的发光，因此在由单重态激发子有效地进行系间窜越的情况下，内部量子效率升高至100%。以往，对于有机EL元件，对应于荧光型和磷光型的发光机理来设计最优的元件。特别是对于磷光型的有机EL...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.02.07 JP 2011-024452;2011.10.18 JP 2011-229111.下述式（2）～（4）中的任一者所示的双咔唑衍生物，在式(2)中，A1表示未取代的二苯并呋喃基或未取代的二苯并噻吩基，A2表示未取代的苯基、未取代的萘基、未取代的菲基、未取代的荧蒽基、或未取代的苯并菲基，Y6和Y11表示C（R），R表示与咔唑骨架键合的结合键，Y1～Y5、Y7～Y10、和Y12～Y16相互独立地表示CH或氮原子，L1表示未取代的亚苯基、未取代的亚萘基或者未取代的二价的芳香族杂环基，该芳香族杂环选自吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、哒嗪环和三嗪环，L2表示单键、未取代的亚苯基、未取代的亚萘基或者可被苯基取代的二价的芳香族杂环基，该芳香族杂环选自吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、哒嗪环和三嗪环，在式（3）和（4）中，A1表示未取代的二苯并呋喃基或未取代的二苯并噻吩基，A2表示未取代的苯基、未取代的萘基、未取代的菲基、未取代的荧蒽基、或未取代的苯并菲基，式（3）和（4）的Y7、式（3）的Y11、和式（4）的Y10表示C（R），R表示与咔唑骨架键合的结合键；式（3）的Y1～Y6、Y8～Y10、和Y12～Y16、和式（4）的Y1～Y6、Y8、Y9、和Y11～Y16相互独立地表示CH或氮原子，L1表示单键、未取代的亚苯基、未取代的亚萘基或者未取代的二价的芳香族杂环基，该芳香族杂环选自吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、哒嗪环和三嗪环，L2表示单键、未取代的亚苯基、未取代的亚萘基、或者可被苯基取代的二价的芳香族杂环基，该芳香族杂环选自吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、哒嗪环和三嗪环，其中，下述化合物除外，。2.根据权利要求1所述的双咔唑衍生物，其中，在上述权利要求1记载的式（2）～（4）中，L1表示未取代的亚苯基或未取代的亚萘基。3.根据权利要求1所述的双咔唑衍生物，其中，在上述权利要求1记载的式（2）～（4）中，L1是未取代的亚苯基、未取代的亚萘基、或者未取代的二价的芳香族杂环基，所述A1是1-二苯并呋喃基、3-二苯并呋喃基、4-二苯并呋喃基、或二苯并噻吩基。4.根据权利要求1所述的双咔唑衍生物，其中，在上述权利要求1记载的式（2）～（4）中，L2是单键或可被苯基取代的二价的芳香族杂环基。5.根据权利要求1所述的双咔唑衍生物，其中，在上述权利要求1记载的式（2）～（4）中，L2是单键，L1是未取代的亚苯基、未取代的亚萘基、或者未取代的二价的芳香族杂环基。6.根据权利要求1所述的双咔唑衍生物，其中，在上述权利要求1记载的式（3）和（4）中，L1是单键，L2是未取代的亚苯基、未取代的亚萘基、或者可被苯基取代的二价的芳香族杂环基。7.根据权利要求1所述的双咔唑衍生物，其中，在上述权利要求1记载的式（2）～（4）中，A1为未取代的4-二苯并呋喃基或未取代的4-二苯并噻吩基。8.根据权利要求1所述的双咔唑衍生物，其中，在上述式（2）中，Y6和Y11表示C（R），R表示与咔唑骨架键合的结合键，Y1～Y５、Y7～Y10、和Y12～Y16...
【专利技术属性】
技术研发人员：井上哲也，伊藤光则，加藤朋希，日比野茎子，西村和树，佐土贵康，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：
国别省市：
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