增强型狭缝光波导外延型光栅FP腔光学生化传感芯片制造技术

技术编号:9169558 阅读:155 留言:0更新日期:2013-09-19 17:57
本发明专利技术的增强型狭缝光波导外延型光栅FP腔光学生化传感芯片,包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的基体,基体的单晶硅层包含狭缝光波导,狭缝光波导的光信号传播路径上包含光栅FP腔,增强狭缝槽位于所述光栅FP腔的两个光栅之间的区域,光栅FP腔的光栅为外延型光栅,位于长方形基体外侧,为外凸型齿状光栅。本发明专利技术的光学生化传感芯片通过在顶部的单晶硅层形成光栅FP腔检测外界物质对光信号的影响,同时引入狭缝光波导结构,使光信号的检测从传统的倏逝场转向狭缝空间,其优势在于狭缝空间中的光能量密度远大于倏逝场中光能量的密度,光与物质相互作用更强,使检测灵敏度更高,检测难度进一步降低。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
增强型狭缝光波导外延型光栅FP腔光学生化传感芯片,包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的基体,其特征在于,所述基体的单晶硅层包含狭缝光波导,所述狭缝光波导的光信号传播路径上包含光栅FP腔,基体俯视方向为长方形,所述狭缝光波导为增强型狭缝光波导,所述增强型狭缝光波导包括中心狭缝槽和增强狭缝槽,中心狭缝槽位于基体长度方向的中心轴线上,长度与基体所述中心轴线相等,增强狭缝槽对称分布与中心狭缝槽两边,方向与中心狭缝槽一致,所述增强狭缝槽位于所述光栅FP腔的两个光栅之间的区域,所述光栅FP腔的光栅为外延型光栅,位于长方形基体外侧,为外凸型齿状光栅。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:袁国慧王卓然高亮
申请(专利权)人:成都谱视科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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