【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片，包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的基体，其特征在于，所述基体的单晶硅层包含狭缝光波导，所述狭缝光波导的光信号传播路径上包含光栅FP腔，基体俯视方向为长方形，狭缝光波导包含一条狭缝，所述狭缝位于基体长度方向的中心轴线上，长度与基体所述中心轴线相等。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王卓然，袁国慧，高亮，王维，任培培，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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