【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
狭缝光波导外延光栅FP腔级联型光学生化传感芯片，包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的SOI基体，其特征在于，所述SOI基体的单晶硅层包含第一光学谐振腔和第二光学谐振腔，所述第一光学谐振腔与第二光学谐振腔具有不相同的自由光谱范围，二者光学耦合连接，所述第一光学谐振腔和第二光学谐振腔同为外延型光栅FP腔，所述外延型光栅FP腔的外延型光栅形成于SOI基体外侧，为外凸型齿状光栅。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：袁国慧，王卓然，高亮，
申请(专利权)人：成都谱视科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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