压力传感器芯片制造技术

本发明专利技术涉及一种压力传感器芯片。其降低因传感器隔膜的约束而产生的应力，确保所期待的耐压。与传感器隔膜（1-1）的一面面对面的挡块构件（11-2）的周边部（11-2c）的区域（S1）当中，将外周侧的区域（S1a）作为与传感器隔膜（11-1）的一个面接合的接合区域；将内周侧的区域（S1b）作为未与传感器隔膜（11-1）的面接合的非接合区域。将测量压力（Pa）作为高压侧的测量压力，将测量压力（Pb）作为低压侧的测量压力时，如果给传感器隔膜（11-1）的一面施加高压侧的测量压力Pa的话，因为在挡块构件（11-2）之间形成有非接合区域（S1b），所以传感器隔膜（11-1）不会产生因约束而引起的过度的拉伸应力且可以弯曲，因而该部分产生的应力将得以降低。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种压力传感器芯片，包括：传感器隔膜，其输出与压力差相应的信号；和使其周边部与该传感器隔膜的一面以及另一面、对面接合的第一以及第二保持构件，其特征在于，在所述第一保持构件的周边部的与所述传感器隔膜的一个面对面的区域当中，外周侧的区域为与所述传感器隔膜的一面接合的接合区域，内周侧的区域为未与所述传感器隔膜的一面接合的非接合区域。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：濑户祐希，德田智久，
申请(专利权)人：阿自倍尔株式会社，
类型：发明
国别省市：