电压电平移位器制造技术

技术编号:9145527 阅读:142 留言:0更新日期:2013-09-12 06:46
本发明专利技术涉及电压电平移位器。电压电平移位器具有输入电路,其具有耦接到输入节点的反相器、栅极耦接到所述反相器的第一节点的下拉控制晶体管、以及栅极耦接到所述反相器的第二节点的上拉控制晶体管。下拉和上拉控制晶体管的源极耦接到低参考电压。瞬态连通性限制器(TCL)具有下拉和上拉晶体管。两个控制输入耦接到所述反相器的相应的第一和第二节点,并且路径输入耦接到下拉和上拉控制晶体管的相应的漏极。输出电路具有耦接到TCL的上拉和下拉节点的输入。在输入节点处的电压电平转换期间,TCL通过TCL上拉晶体管从饱和操作区转换到亚阈值而将上拉节点连接到所述低参考电压。

【技术实现步骤摘要】
电压电平移位器
本专利技术涉及电压电平移位器,并且更具体地,涉及用于将信号电平从低电压电平移位到高电压电平的电压电平移位器。
技术介绍
集成电路典型地具有外围或输入/输出(I/O)电路和内部核心电路。内部核心电路通常尽可能快地以最少功耗执行各种针对处理的功能。结果,用于对核心电路供电的电源电压已经在变小。I/O电路以规定的信号功率和电压电平驱动或提供来自核心的信号到外部电路。也经常需要I/O电路来以各种接口标准进行接口连接。考虑到上述,在较低的电源电压芯片级核心电路信号(例如,大约1伏(V)或更低)与以较高的电压电平(例如,2.5V、3.3V、或更高)操作的外部电路之间需要高速的点对点接口通信。此外,许多系统,并且甚至内部核心电路,是以在多个电压电平操作的多种技术设计的。此外还已经发现,提供接口连接多个电压电平的电平移位电路和输出缓冲器电路同时在I/O速度和功耗的期望的限制下操作是非常有挑战性的。因此,如果电平移位电路可以被实现为可以提供相对高速的电压输出转换而不需要相对高的功耗水平,这将期望的。
技术实现思路
根据本专利技术一个方面,提供了一种电压电平移位器,包括:输入节点和输出节点;本文档来自技高网...
电压电平移位器

【技术保护点】
一种电压电平移位器,包括:输入节点和输出节点;输入电路,其具有耦接到所述输入节点的输入反相器,其中所述输入电路具有下拉晶体管和上拉控制晶体管,所述下拉晶体管具有耦接到所述反相器的第一节点的栅电极,所述上拉控制晶体管具有耦接到所述反相器的相反的第二节点的栅电极,并且其中所述下拉晶体管和上拉控制晶体管的源电极耦接到低参考电压;瞬态路径连通性限制器,其具有下拉瞬态连通性限制晶体管和上拉瞬态连通性限制晶体管,其中所述下拉瞬态连通性限制晶体管具有通过第一电容器耦接到所述反相器的第一节点的栅电极,并且所述下拉瞬态连通性限制晶体管的源电极耦接到所述下拉晶体管的漏电极,并且其中所述上拉瞬态连通性限制晶体管具有...

【技术特征摘要】
1.一种电压电平移位器,包括:输入节点和输出节点;输入电路,其具有耦接到所述输入节点的输入反相器,其中所述输入电路具有下拉晶体管和第一上拉控制晶体管,所述下拉晶体管具有耦接到所述输入反相器的第一节点的栅电极,所述第一上拉控制晶体管具有耦接到所述输入反相器的相反的第二节点的栅电极,并且其中所述下拉晶体管和第一上拉控制晶体管的源电极耦接到低参考电压;瞬态路径连通性限制器,其具有下拉瞬态连通性限制晶体管和上拉瞬态连通性限制晶体管,其中所述下拉瞬态连通性限制晶体管具有通过第一电容器耦接到所述输入反相器的第一节点的栅电极,并且所述下拉瞬态连通性限制晶体管的源电极耦接到所述下拉晶体管的漏电极,并且其中所述上拉瞬态连通性限制晶体管具有通过第二电容器耦接到所述输入反相器的第二节点的栅电极,并且所述上拉瞬态连通性限制晶体管的源电极耦接到第一上拉控制晶体管的漏电极;其中所述瞬态路径连通性限制器还包括快速响应下拉栅极控制晶体管,所述快速响应下拉栅极控制晶体管具有耦接到所述下拉瞬态连通性限制晶体管的栅电极的源电极、耦接到主电压源节点的漏电极、以及耦接到辅助电压源节点的栅电极,其中在操作中所述主电压源节点处于比所述辅助电压源节点高的电压;以及输出电路,其具有上拉晶体管,所述上拉晶体管具有耦接在所述主电压源节点和所述下拉瞬态连通性限制晶体管的漏电极之间的源电极和漏电极,其中所述上拉晶体管的漏电极耦接到所述输出节点,并且所述上拉晶体管的栅电极耦接到所述上拉瞬态连通性限制晶体管的漏电极,并且其中所述输出电路还包括第二上拉控制晶体管,所述第二上拉控制晶体管具有耦接在所述主电压源和所述上拉瞬态连通性限制晶体管的漏电极之间的源电极和漏电极,并且所述第二上拉控制晶体管的栅电极耦接到所述下拉瞬态连通性限制晶体管的漏电极。2.如权利要求1所述的电压电平移位器,其中所述瞬态路径连通性限制器还包括快速响应上拉栅极控制晶体管,所述快速响应上拉栅极控制晶体管具有耦接到所述上拉瞬态连...

【专利技术属性】
技术研发人员:张文忠郭胤章沙雁
申请(专利权)人:飞思卡尔半导体公司
类型:发明
国别省市:

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