用于密码芯片的抗功耗分析攻击的稳压器、密码芯片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种用于密码芯片的抗功耗分析攻击的稳压器、密码芯片。该稳压器包括：第一PMOS管和第二PMOS管组成的电流镜，其中，第一PMOS管的源极为参考电压输入端，第二PMOS管的源极为稳压器的电压输出端；第一电流源，连接在第一PMOS管的源极和电源之间；第二电流源，连接在第一PMOS管的漏极和公共地之间；第三电流源，连接在第二PMOS管的漏极和公共地之间；控制字发生器，用于根据密码芯片的状态，生成电流控制字；分流电流源，连接在第二PMOS管的源极和电源之间；第三NMOS管，连接在第二PMOS管的源极与公共地端之间第二PMOS管的源极和电源之间。本实用新型专利技术可以通过有意地控制密码芯片电源上消耗的功耗，使得攻击者无法从芯片电源的功耗上获取保密信息。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于密码芯片的抗功耗分析攻击的稳压器，其特征在于，包括：?第一PMOS管和第二PMOS管组成的电流镜，其中，所述第一PMOS管的源极为参考电压输入端，所述第二PMOS管的源极为所述稳压器的电压输出端；?第一电流源，连接在所述第一PMOS管的源极和电源之间；?第二电流源，连接在所述第一PMOS管的漏极和公共地之间；?第三电流源，连接在所述第二PMOS管的漏极和公共地之间；?控制字发生器，用于根据所述密码芯片的状态，生成电流控制字；?分流电流源，连接在所述第二PMOS管的源极和电源之间，所述分流电流源的电流值由所述电流控制字控制，其中，当所述密码芯片处于加解密运算状态时，所述电流控制字为随机码，所述分流电流源的电流值为随机电流值；?第三NMOS管，连接在所述第二PMOS管的源极与公共地之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：白蓉蓉，杨培，刘忠志，曹靖，
申请(专利权)人：北京昆腾微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：