透明导电体制造技术

本实用新型专利技术涉及一种透明导电体，该透明导电体包括透明基板、第一介质层、第二介质层、第一导电层及第二导电层，第一介质层及第二介质层依次层叠于透明基板上，第一导电层及第二导电层分别嵌设于第一介质层及第二介质层中，第一导电层及第二导电层相互绝缘，且第一导电层及第二导电层均由金属网格形成，第一导电层及第二导电层中，金属网格的线宽为0.2微米～5微米，相邻两条金属网格线之间的距离为50微米～500微米。金属替代了昂贵的铟锡氧化物，并且制备过程中无需进行刻蚀和搭桥，能够节约原料和简化制备过程，金属网格的线宽及相邻两条金属网格线之间的距离能够保证较大的可视区面积，使得透明导电体价格较低、透光率较高。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种透明导电体，其特征在于，包括透明基板；第一介质层，层叠于所述透明基板上；第一导电层，嵌设于所述第一介质层中；第二介质层，层叠于所述第一介质层上；第二导电层，嵌设于所述第二介质层中；其中，所述第一导电层与第二导电层相互绝缘，所述第一导电层及第二导电层均由金属网格形成，所述第一导电层及第二导电层中，金属网格的线宽为0.2微米～5微米，相邻两条金属网格线之间的距离为50微米～500微米。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：唐根初，董绳财，刘伟，唐彬，
申请(专利权)人：深圳欧菲光科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：