铜铟镓硒多层薄膜及其制备方法技术

本申请涉及铜铟镓硒多层薄膜及其制备方法，方法包括：配制步骤，配制包含不同Ga/(In+Ga)比例的铜铟镓硒前驱溶胶；涂覆步骤，非真空条件下，按照在从衬底到远离衬底的方向上Ga/(In+Ga)比例为先递减后递增的方式，将所述铜铟镓硒前驱溶胶逐层涂覆到衬底上，得到铜铟镓硒前驱薄膜；生成步骤，对所述涂覆步骤最终得到的铜铟镓硒前驱薄膜进行热处理，冷却后即制成铜铟镓硒多层薄膜。该方法属于非真空制备薄膜的方法，不仅工艺简单，成本低廉，而且适合于产业化的大规模生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种铜铟镓硒多层薄膜的制备方法，其特征在于，包括：配制步骤：配制包含不同Ga/(In+Ga)比例的铜铟镓硒前驱溶胶；涂覆步骤：非真空条件下，按照在从衬底到远离衬底的方向上Ga/(In+Ga)比例为先递减后递增的方式，将所述铜铟镓硒前驱溶胶逐层涂覆到衬底上，得到铜铟镓硒前驱薄膜；生成步骤：对所述涂覆步骤最终得到的铜铟镓硒前驱薄膜进行热处理，冷却后即制成铜铟镓硒多层薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐东，徐永清，叶帅，
申请(专利权)人：深圳市亚太兴实业有限公司，
类型：发明
国别省市：