CMOS图像传感器、像素单元及其控制方法技术

技术编号:9062703 阅读:147 留言:0更新日期:2013-08-22 01:41
一种CMOS图像传感器、像素单元及其控制方法,所述像素单元包括光电转换单元、隔离晶体管、存储单元和读取单元。所述隔离晶体管的第一端连接所述光电转换单元,所述隔离晶体管的第二端连接所述存储单元和读取单元;所述存储单元包括第一开关单元、第二开关单元、第一存储电容、第二存储电容和复位单元,所述第一开关单元的第一端连接所述第一存储电容,所述第二开关单元的第一端连接所述第二存储电容,所述第一开关单元的第二端连接所述第二开关单元的第二端和所述读取单元,所述复位单元适于提供所述第一存储电容和第二存储电容的复位电压。本发明专利技术技术方案提供的CMOS图像传感器的像素单元,提高了像素单元产生的图像信号的信噪比。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种CMOS图像传感器的像素单元,其特征在于,包括:光电转换单元、隔离晶体管、存储单元和读取单元;所述隔离晶体管的第一端连接所述光电转换单元,所述隔离晶体管的第二端连接所述存储单元和读取单元,所述隔离晶体管的第一端和第二端分别为晶体管的源极和漏极;所述存储单元包括第一开关单元、第二开关单元、第一存储电容、第二存储电容和复位单元,所述第一开关单元的第一端连接所述第一存储电容并适于控制所述第一存储电容的充放电,所述第二开关单元的第一端连接所述第二存储电容并适于控制所述第二存储电容的充放电,所述第一开关单元的第二端连接所述第二开关单元的第二端和所述读取单元,所述复位单元适于提供所述第一存储电容和第二...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:罗文哲王林汪立
申请(专利权)人:昆山锐芯微电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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