一种R-Fe-B系烧结磁体的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种R-Fe-B系烧结磁体的制备方法，首先采用常规方法制备厚度为1～10mm的R-Fe-B系烧结磁体；其次，在Ar气保护气氛下的密封箱中使用热喷涂的方法在烧结磁体表面喷涂厚度为10～200μm的金属Tb或者Dy；最后将表面涂覆了Tb或者Dy的烧结磁体放入真空烧结炉，在真空或Ar气保护气氛下、750～1000℃对烧结磁体进行热处理，使重稀土元素Tb或者Dy通过扩散沿晶界进入烧结磁体内部。本发明专利技术使用热喷涂的方法在烧结磁体表面喷涂一层Tb或者Dy，处理速度快、涂层均匀、产率高，热处理后磁体矫顽力大幅度提高。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种R?Fe?B系烧结磁体的制备方法，其特征在于，包括：1）采用本领域技术人员公知的方法制备R1?Fe?B?M烧结磁体，其中，R1选自Nd、Pr、Dy、Tb、Ho、Gd中的一种或者几种，其总量为26wt%～33wt%；M选自Ti、V、Cr、Mn、Co、Ni、Ga、Ca、Cu、Zn、Si、Al、Mg、Zr、Nb、Hf、Ta、W、Mo中的一种或几种，其总量为0～5wt%；B总量为0.5wt%～2wt%；其余为Fe；2）将步骤1）得到的烧结磁体进行除油、酸洗、活化及去离子水清洗处理；3）将步骤2）中清洗后的烧结磁体放入密封箱并使烧结磁体处于循环Ar保护气氛中，在烧结磁体表面使用热喷涂方法涂覆一层厚度为10～200μm的金属Tb或者金属Dy作为喷涂材料；4）将步骤3）处理后的烧结磁体放入真空烧结炉内，750～1000℃热处理2～72h，真空烧结炉内真空度控制在10?2～10?5Pa或者真空烧结炉内采用5～20kPa的Ar保护气氛，使金属Tb或金属Dy通过晶界扩散进入烧结磁体内部；5）将步骤4）处理后的烧结磁体在450～600℃时效处理1～10h，得到R?Fe?B系烧结磁体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：于永江，孙秀彦，李志强，王玉林，刘磊，
申请(专利权)人：烟台正海磁性材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：