液晶显示设备制造技术

技术编号:9060210 阅读:157 留言:0更新日期:2013-08-21 23:25
本发明专利技术提供一种液晶显示设备,其特征在于,包括:第一衬底;在所述第一衬底上方的第一栅电极;在所述第一栅电极上方的栅极绝缘层;在所述第一栅电极上方的半导体层,包括通道形成区,其中所述栅极绝缘层介于所述第一栅电极和所述半导体层之间;在所述栅极绝缘层上方的公共电极;在所述半导体层和所述公共电极上方的绝缘层;在所述绝缘层上方的像素电极;在所述像素电极上方的液晶层;以及在所述液晶层上方的第二衬底,其中,所述半导体层和所述公共电极中的每一个包含铟和锌,其中,所述像素电极与所述公共电极重叠,其中,所述绝缘层介于所述像素电极与所述公共电极之间,以形成电容器,其中,所述像素电极与所述半导体层电连接。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种液晶显示设备,其特征在于,包括:第一衬底;在所述第一衬底上方的第一栅电极;在所述第一栅电极上方的栅极绝缘层;在所述第一栅电极上方的半导体层,包括通道形成区,其中所述栅极绝缘层介于所述第一栅电极和所述半导体层之间;在所述栅极绝缘层上方的公共电极;在所述半导体层和所述公共电极上方的绝缘层;在所述绝缘层上方的像素电极;在所述像素电极上方的液晶层;以及在所述液晶层上方的第二衬底,其中,所述半导体层和所述公共电极中的每一个包含铟和锌,其中,所述像素电极与所述公共电极重叠,其中,所述绝缘层介于所述像素电极与所述公共电极之间,以形成电容器,其中,所述像素电极与所述半导体层电连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:木村肇
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
类型:发明
国别省市:

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