一种电容式加速度传感器制造技术

技术编号:9049013 阅读:156 留言:0更新日期:2013-08-15 17:45
一种电容式加速度传感器,包括底座、芯片、排线和上盖,芯片固定在底座上,排线一端连接芯片,上盖固定在底座上,所述的芯片由硅元件和混合信号器ASIC组成,采用MEMS电容式加速度传感器芯片,内部含有由立体微加工工艺制成的硅元件和专用混合信号器ASIC,取代采用分立元件组装,产品具有体积小、易集成、低成本、低频特性好、可靠性高,易于实现数字化和智能化;且芯片采用的微机械结构制作精确、重复性好、适于大批量生产,它的性能价格比很高。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种加速度传感器,尤其是指一种电容式加速度传感器
技术介绍
加速度传感器是将加速度、震动、冲击等物理现象所产生的压力转变成便于测量的电信号的测试仪器。电容式加速度传感器是将被测量的加速度变化转换为电容变化量的一类传感器,因为具有测量精度高,输出稳定,温度漂移小等优点而得到广泛应用。传统加工方法制造的电容式传感器,通常由质量块、弹簧片、上下固定极板等分立元件构成,一起置于外壳内,封装起来,形成产品。产品体积大,不易于集成,稳定性和可靠性差。由于结构设计,使用材料和生产工艺等的局限性,造成产品性能普遍较差,只能用于低精度测量,属于低端产品。
技术实现思路
本技术解决了上述技术问题,提供一种电容式加速度传感器。为了解决上述技术问题,本技术的技术方案为:一种电容式加速度传感器,其特征在于:包括底座、芯片、排线和上盖,芯片固定在底座上,排线一端连接芯片,上盖固定在底座上,所述的芯片由硅元件和混合信号器ASIC组成。本技术采用MEMS电容式加速度传感器芯片,内部含有由立体微加工工艺制成的硅元件和专用混合信号器ASIC,取代采用分立元件组装,产品具有体积小、易集成、低成本、低频特性好、可靠性高,易于实现数字化和智能化;且芯片采用的微机械结构制作精确、重复性好、适于大批量生产,它的性能价格比很高。以下结合附图对本技术的具体实施方式作进一步详细的说明。附图说明图1是本技术结构示意图;图2是本技术立体图。具体实施方式以下结合附图和具体实施方式,对本技术做进一步说明。图1、图2所示一种电容式加速度传感器,包括底座1、芯片2、排线3和上盖4,芯片2固定在底座I上,排线3 —端连接芯片2,上盖4固定在底座I上,所述的芯片由硅元件和混合信号器ASIC组成,传感器安装在待测物体上,待测物体产生加速度,传感器芯片感测到加速度,并把加速度转化成电信号,经ASIC专用混合信号器处理后输出。尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本技术,但所属领域的技术人员应该明白,在不脱离所附权利要求书所限定的本技术的精神和范围内,在形式上和细节上对本技术做出各种变化,均为本技术的保护范围。权利要求1.一种电容式加速度传感器,其特征在于:包括底座、芯片、排线和上盖,芯片固定在 底座上,排线一端连接芯片,上盖固定在底座上,所述的芯片由硅元件和混合信号器ASIC 组成。专利摘要一种电容式加速度传感器,包括底座、芯片、排线和上盖,芯片固定在底座上,排线一端连接芯片,上盖固定在底座上,所述的芯片由硅元件和混合信号器ASIC组成,采用MEMS电容式加速度传感器芯片,内部含有由立体微加工工艺制成的硅元件和专用混合信号器ASIC,取代采用分立元件组装,产品具有体积小、易集成、低成本、低频特性好、可靠性高,易于实现数字化和智能化;且芯片采用的微机械结构制作精确、重复性好、适于大批量生产,它的性能价格比很高。文档编号G01P15/125GK203133112SQ20132019334公开日2013年8月14日 申请日期2013年4月12日 优先权日2013年4月12日专利技术者崔贺伟, 陈强中 申请人:厦门乃尔电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容式加速度传感器,其特征在于:包括底座、芯片、排线和上盖,芯片固定在底座上,排线一端连接芯片,上盖固定在底座上,所述的芯片由硅元件和混合信号器ASIC组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:崔贺伟陈强中
申请(专利权)人:厦门乃尔电子有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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