LVDT位移传感器及其导磁片结构制造技术

技术编号:39932511 阅读:30 留言:0更新日期:2024-01-08 21:55
本技术公开一种LVDT位移传感器及其导磁片结构,其中,导磁片结构包括第一导磁片和第二导磁片;其中,第一导磁片上设置有凹陷部和凸出部;第二导磁片的结构与第一导磁片一致,且第二导磁片与第一导磁片相匹配以形成圆环;由此,通过增设对扣结构,导磁片装在骨架上即可自动扣合固定,避免在后继装配工序发生移位,在绝缘片、导磁片装配过程中减少一次胶水固化的相关工序,增设的扣合结构也可使产品在振动条件下,有效防止导磁片之间松脱,从而提高了产品可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及lvdt位移传感器,特别涉及一种导磁片结构和一种lvdt位移传感器。


技术介绍

1、相关技术中,lvdt的绕组产生的磁场通过铁芯、导磁片、磁罩形成闭合回路,其中导磁片位于绕组两端,将两端的磁场传导至磁罩,可以减少漏磁,提高了lvdt产品的线性度;线圈与导磁片接触处容易刮伤漆包线线皮,需要由不导磁的软质绝缘材料作绝缘片。

2、如图1所示,现有lvdt产品的导磁片结构包括能拼成一个完整圆环的两个半圆环,装配时两半圆环拼接抱住骨架,再用胶水粘住,将胶水烘烤固化后刮除溢出的胶水,再将绝缘片装上,装配步骤与装配导磁片一样,用胶水粘住,烘烤固化,刮除溢出的胶水;也就是说,装配过程需要先用胶水固定导磁片,再重复同样的流程装配绝缘片,过程中需要两次等待胶水固化,两次刮除溢出的胶水,过程繁琐,耗费大量生产时间,占用设备资源;且两半圆环仅通过胶水粘贴固定,在振动环境下存在胶水开裂、导磁片松脱的风险,影响产品可靠性。


技术实现思路

1、本技术旨在至少在一定程度上解决上述技术中的技术问题之一。为此,本技术的一个本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种导磁片结构,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的导磁片结构,其特征在于,所述第一导磁片端部延伸形成所述凸出部。

3.如权利要求2所述的导磁片结构,其特征在于,所述凸出部从所述第一导磁片端部延伸后依次形成连接部和卡接部,所述卡接部的直径大于所述连接部的直径。

4.如权利要求3所述的导磁片结构,其特征在于,所述第一导磁片一端设置有第一凹陷部,所述第一导磁片另一端设置有第一凸出部,所述第二导磁片一端设置有第二凹陷部,所述第二导磁片另一端设置有第二凸出部,所述第一凸出部与所述第二凹陷部相匹配,所述第二凸出部与所述第一凹陷部相匹配,以形成圆环。...

【技术特征摘要】

1.一种导磁片结构,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的导磁片结构,其特征在于,所述第一导磁片端部延伸形成所述凸出部。

3.如权利要求2所述的导磁片结构,其特征在于,所述凸出部从所述第一导磁片端部延伸后依次形成连接部和卡接部,所述卡接部的直径大于所述连接部的直径。

4.如权利要求3所述的导磁片结构,其特征在于,所述第一导磁片一端设置有第一凹陷部,所述第一导磁片另一端设置有第一...

【专利技术属性】
技术研发人员:张丽彬吴育德陈玉财孔致鹏翁新全许静玲柯银鸿
申请(专利权)人:厦门乃尔电子有限公司
类型:新型
国别省市:

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