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LVDT位移传感器及其导磁片结构制造技术
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文档序号:39932511
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本技术公开一种LVDT位移传感器及其导磁片结构,其中,导磁片结构包括第一导磁片和第二导磁片;其中,第一导磁片上设置有凹陷部和凸出部;第二导磁片的结构与第一导磁片一致,且第二导磁片与第一导磁片相匹配以形成圆环;由此,通过增设对扣结构,导磁片装...
该专利属于厦门乃尔电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过厦门乃尔电子有限公司授权不得商用。
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