智能功率模块及高压功率开关制造技术

本实用新型专利技术涉及机电控制领域，特别涉及一种智能功率模块及高压功率开关。高压功率开关由两个或两个以上的智能功率模块并联而成，智能功率模块包括依次连接的控制单元、驱动保护单元、功率MOSFET管，所述功率MOSFET管两端并联有二极管，智能功率模块前端设有MCU接收驱动保护单元反馈的信号，所述控制单元有两个输入端V1、V2与MCU相连。任何一个智能功率模块故障时，其本身以及与之并联的其他智能功率模块都会进行同步关断。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及机电控制领域，特别涉及一种智能功率模块及高压功率开关。
技术介绍
在机电自动化控制时，当负载功率大于5kW时，高压功率开关一般选用IGBT模块或多只MOS并联或智能功率模块并联。IGBT模块功耗过大，需考虑散热问题；多只MOS并联控制产品整体体积过大，且不同功率负载需要不同数量MOS并联，不易形成标准化产品；智能功率模块并联的方式比较常见，其本身内置的驱动保护电路监测负载运行参数及工作状态，具有过压、过流、过热、短路等保护功能，当智能功率模块出现故障时，即过压、过流、过热、短路时，驱动保护电路会向MCU发送故障信号，MCU再向智能功率模块发出关断信号。智能功率模块并联，有两种方案。第一种方案如图1所示，当微总线通过总线接口发出导通/关断信号时，由于各MCU的差异性，导致MCU发出的信号不同步，智能功率模块没有同时导通，抗冲击电流能力下降，严重时对电路造成损害。另一种改进方案如图2所示，智能功率模块内设有控制电路，微总线通过总线接口对任一个MCU发出导通/关断信号时，这里假设MCU-2接收到导通/关断信号，MCU-2向对应的智能功率模块二发出低电平/高电平信号，此时智能功率本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种智能功率模块，其特征在于：包括依次连接的控制单元（11）、驱动保护单元（12）、功率MOSFET管，所述功率MOSFET管两端并联有二极管，智能功率模块（10）前端设有MCU接收驱动保护单元（12）反馈的信号，所述控制单元（11）有两个输入端V1、V2与MCU相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘泉生，张炳岩，张亮，杨静波，
申请(专利权)人：中国人民解放军六三九六三部队，合肥同智机电控制技术股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：