宇航用耐辐照电缆制造技术

技术编号:8999135 阅读:150 留言:0更新日期:2013-08-02 19:04
本实用新型专利技术是宇航用耐辐照电缆,其结构是电缆为单芯有屏蔽无护套电缆;电缆采用多股镀镍铜丝绞合的导体的外围是采用聚酰亚胺材料绕包+聚醚醚酮挤出+聚酰亚胺绕包的复合绝缘层的外围是由采用半导电PEEK挤出的半导电层的外围是采用镀镍铜丝编织的屏蔽层;额定电压2500V。优点:额定电压达到2500V,耐高低温-100℃~+260℃,耐老化、耐冲击、抗开裂、强度高、耐弯曲、阻燃,适用于航天特殊环境,用于设备控制信号及电流传输;通过采用耐辐照材料PI和PEEK作为绝缘层,采用半导电料+镀镍圆铜线编织结构,使电缆获得耐辐照2×109rad的能力和防静电放电的性能;电缆在―100℃下正常敷设安装。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术是宇航用耐辐照电缆,能够适应航天苛刻环境工作,具有优异的耐辐照性能、抗静电放电性能、机械性能和电性能,在(-100 +260) °C范围内长期使用。
技术介绍
现有产品是以GJB 773A-2000《航空航天用含氟聚合物绝缘电线电缆通用规范》为依据,同时参照了美国军标MIL-W-22759《MILITARY SPECIFICATION SHEET》标准制造生产的。然而该产品缺泛在特殊环境下使用应具有的相关性能:如①耐辐照耐高温;③耐老化;④强度高等性能。
技术实现思路
本技术提出的是一种宇航用耐辐照电缆,其目的旨在克服现有产品所存在的上述缺陷,可满足在宇航特殊环境下使用。本技术的技术解决方案:宇航用耐辐照电缆结构为单芯有屏蔽无护套电缆结构,每芯电缆采用多股镀镍铜丝绞合的导体,导体的外围是采用聚酰亚胺材料绕包+聚醚醚酮挤出+聚酰亚胺绕包的复合绝缘层,复合绝缘层的外围是由采用半导电PEEK挤出的半导电层;半导电层的外围是采用镀镍铜丝编织的屏蔽层。本技术具有以下优点:1)耐辐照:电缆耐辐照可达2X 109rad ;2)耐高低温:绝缘采用耐高低温性能优异的聚酰亚胺材料及聚醚醚酮材料,可在-100 +260°C范围内长期使用;3)耐压高:额定工作电压可达2500V ;4)耐低温:电缆可以在一 100°C下正常敷设安装,可以解决一般材料由于低温敷设易造成硬化、脆裂等问题,从而满足低温环境的使用要求;5)可靠性:导体采用多股镀镍铜绞线,可耐高温、耐氧化;绝缘材料可在大范围温度内长期使用,即使在高温条件下, 也具有优异的电绝缘性能和机械性能,具有耐酸、碱、油及其它溶剂侵蚀;6)通过采用耐辐照材料PI和PEEK作为绝缘层,采用半导电料+镀镍圆铜线编织结构,使电缆获得耐辐照2X109rad的能力和防静电放电的性能。附图说明附图1是宇航用耐辐照电缆结构示意图。图中的I是用多股镀镍铜丝绞合的导体;2是采用聚酰亚胺(PI)材料绕包的绝缘层;3是由采用聚醚醚酮挤出的绝缘层;4是采用聚酰亚胺(PI)材料绕包的绝缘层;5是采用聚醚醚酮半导电料挤出的半导电层;6是采用镀镍铜丝编织的屏蔽层。具体实施方式对照附图,宇航用耐辐照电缆的结构每芯电缆采用多股镀镍铜丝绞合的导体1,导体I的外围是采用聚酰亚胺PI材料绕包+聚醚醚酮PEEK挤出+聚酰亚胺PI绕包的复合绝缘层,复合绝缘层的外围是由采用半导电PEEK挤出的半导电层5 ;半导电层5的外围是采用镀镍铜丝编织的屏蔽层6 ;额定电压2500V。复合绝缘层为多层复合绝缘,耐高温达260°C,耐辐照达2X 109rad。导体为绞合导体,采用镀镍铜丝绞合,用电线电缆束绞机同心式绞合;绝缘为多层复合绝缘,绝缘先采用绕包机绕包聚酰亚胺PI,再采用挤出机挤出聚醚醚酮PEEK,最后采用绕包机绕包聚酰亚胺PI ;半导电层采用挤出机挤出聚醚醚酮半导电层;屏蔽层采用编织机编织,材料为镀镍铜丝。本产品是根据用户的特殊要求制定的,充分考虑其适用性和可靠性,充分考虑高低温、耐辐照、高强度、防静电等特殊要求,可满足多种使用环境要求,经过实物样品试验验证了设计的合理性和可靠性。实施例:AWG18号线,采用19根0.26mm镀镍圆铜丝绞合,经过压缩模具,获得(1.23 ±0.03) mm的绞合导体;采用同心式绕包机绕包0.0254mm厚度PI带3层,搭盖率处于67% 70%之间;绕包后,再采用挤出机挤出0.30mm厚度的聚醚醚酮PEEK纯料,获得结晶度较高的聚醚醚酮PEEK层,使PEEK的耐温等级能达到260°C;再采用绕包机绕包0.0254mm厚度的PI带3层,绕包搭盖率处于67% 70%之间,最后形成PI + PEEK + PI的复合绝缘层;采用体积电阻率处于IO3 107Ω.cm之间的PEEK半导电料,用挤出机挤出0.20mm厚度的PEEK半导电料,形成半导电层,使半导电层具有防静电的效果;最后采用0.15mm镀镍圆铜线编织屏蔽,屏蔽密度不小于98%,形成成品,成品外径不大于4.2mm。通过采用耐辐照材料PI和PEEK作为绝缘层,采用半导电料+镀镍圆铜线编织结构,使电缆获得耐辐照2X109rad的能力和防 静电放电的性能。权利要求1.宇航用耐辐照电缆,其特征是电缆为单芯有屏蔽无护套电缆结构,每芯电缆采用多股镀镍铜丝绞合的导体(1),导体(I)的外围是采用聚酰亚胺PI材料绕包+聚醚醚酮纯料挤出+聚酰亚胺PI绕包的复合绝缘层,复合绝缘层的外围是由采用聚醚醚酮PEEK半导电料挤出的半导电层(5);半导电层(5)的外围是采用镀镍铜丝编织的屏蔽层(6)。2.根据权利要求1所述的宇航用耐辐照电缆,其特征是所述绞合导体的镀镍铜丝有19根,直径0.26mm,绞合导体(I)的厚度为1.23±0.03mm。3.根据权利要求1所述的宇航用耐辐照电缆,其特征是所述的聚酰亚胺PI材料绕包是采用绕包机绕包0.0254mm厚度的聚酰亚胺PI带3层,搭盖率为67% 70%。4.根据权利要求1所述的宇航用耐辐照电缆,其特征是所述的聚醚醚酮纯料的厚度0.30mm,聚醚醚酮PEEK的耐温等级能达到26(TC。5.根据权利要求1所述的宇航用耐辐照电缆,其特征是所述的聚醚醚酮PEEK半导电料的体积电阻率为IO3 107Ω.Cm。6.根据权利要求1所述的宇航用耐辐照电缆,其特征是所述的镀镍铜丝编织的屏蔽层(6)的镀镍圆铜线直 径0.15mm,屏蔽密度不小于98%,形成成品外径不大于4.2mm。专利摘要本技术是宇航用耐辐照电缆,其结构是电缆为单芯有屏蔽无护套电缆;电缆采用多股镀镍铜丝绞合的导体的外围是采用聚酰亚胺材料绕包+聚醚醚酮挤出+聚酰亚胺绕包的复合绝缘层的外围是由采用半导电PEEK挤出的半导电层的外围是采用镀镍铜丝编织的屏蔽层;额定电压2500V。优点额定电压达到2500V,耐高低温-100℃~+260℃,耐老化、耐冲击、抗开裂、强度高、耐弯曲、阻燃,适用于航天特殊环境,用于设备控制信号及电流传输;通过采用耐辐照材料PI和PEEK作为绝缘层,采用半导电料+镀镍圆铜线编织结构,使电缆获得耐辐照2×109rad的能力和防静电放电的性能;电缆在―100℃下正常敷设安装。文档编号H01B7/02GK203102890SQ20132000242公开日2013年7月31日 申请日期2013年1月5日 优先权日2013年1月5日专利技术者李峰, 欧荣金, 石磊, 许宪成, 樊群, 李春红, 陈祥楼, 成绍强, 赖洪林 申请人:南京全信传输科技股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
宇航用耐辐照电缆,其特征是电缆为单芯有屏蔽无护套电缆结构,每芯电缆采用多股镀镍铜丝绞合的导体(1),导体(1)的外围是采用聚酰亚胺PI材料绕包+聚醚醚酮纯料挤出+聚酰亚胺PI绕包的复合绝缘层,复合绝缘层的外围是由采用聚醚醚酮PEEK半导电料挤出的半导电层(5);半导电层(5)的外围是采用镀镍铜丝编织的屏蔽层(6)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李峰欧荣金石磊许宪成樊群李春红陈祥楼成绍强赖洪林
申请(专利权)人:南京全信传输科技股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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