一种用于化学机械抛光的抛光头制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于化学机械抛光的抛光头，所述抛光头至少包括：多腔室隔膜、缓冲区和保持环；所述缓冲区环绕于所述多腔室隔膜周围，所述多腔室隔膜底部形成有用于容纳晶圆的凹槽；所述保持环环绕于所述缓冲区，通过对缓冲区施加横向压力将晶圆限定在凹槽内，所述保持环与抛光垫直接接触，抛光垫在接触处有形变；所述缓冲区将多腔室隔膜与保持环隔开，以便晶圆与抛光垫形变处之间具有一预设距离。本实用新型专利技术提供的抛光头通过在多腔室隔膜和保持环之间增加一缓冲区，避免抛光垫的形变影响晶圆边缘处研磨液的分布，从而保证了晶圆边缘处的抛光质量。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体工艺领域，特别是涉及一种用于化学机械抛光的抛光头。
技术介绍
在半导体工艺流程中，化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)是非常重要的一道工序，有时也称之为化学机械平坦化(Chemical MechanicalPlanarization, CMP)。所谓化学机械抛光，它是采用化学与机械综合作用从半导体硅片上去除多余材料，并使其获得平坦表面的工艺过程。具体来说，这种抛光方法通常是将待抛光的晶圆由抛光头夹持，并将其以一定压力压于一高速旋转的抛光垫上，并在包含有化学抛光剂和研磨颗粒的抛光浆料的作用下通过抛光垫与晶片的相互摩擦达到平坦化的目的。由此看来，在抛光过程中，抛光头起着夹持晶圆并对其背侧施加压力的作用，是实现晶圆表面平坦化的关键部件。现有的用于化学机械抛光的抛光头，如图1所示，其至少包括一多腔室隔IA膜(Membrane)和一保持环3A(也可称固定环或定位环,Retaining ring),保持环3A围绕在多腔室隔膜IA周围且突出多腔室隔膜IA底部，保持环3A突出多腔室隔膜IA的部分与多腔室隔IA膜底部形成凹槽，该凹槽用于容本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于化学机械抛光的抛光头，其特征在于，所述抛光头至少包括：多腔室隔膜、缓冲区和保持环；所述缓冲区环绕于所述多腔室隔膜周围，所述多腔室隔膜底部形成有用于容纳晶圆的凹槽；所述保持环环绕于所述缓冲区，通过对缓冲区施加横向压力将晶圆限定在凹槽内，所述保持环与抛光垫直接接触，抛光垫在接触处有形变；所述缓冲区将多腔室隔膜与保持环隔开，以便晶圆与抛光垫形变处之间具有一预设距离。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：熊世伟，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：实用新型
国别省市：