射频开关装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种射频开关装置，主要于信号馈入端及第一连接端之间设置第一晶体管，于信号馈入端及第二连接端之间设置第二晶体管，并可通过第一晶体管及第二晶体管切换信号的传输路径。第一可变电容连接第一晶体管及第三晶体管，而第二可变电容则连接第二晶体管及第四晶体管，在使用时可通过改变第一可变电容及第二可变电容的电容值来调整不同路径上的阻抗，并有利于提高射频开关装置传输信号的效率，此外，亦可将可变电容共迭至层板电容之下，以提升电路布局图上面积重复使用率，进一步达成缩减面积的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种射频开关装置，可通过改变第一可变电容及第二可变电容的电容值来调整不同路径上的阻抗，并有利于提高射频开关装置传输信号的效率。
技术介绍
请参阅图1，为现有常用无线收发器的方块示意图。无线收发器(transceiver) 10用以发射及接收无线信号，并包括一天线单元11、一射频开关装置13、一接收单元15、一发射单元17及一基频电路19，其中射频开关装置13连接天线单元11、接收单元15及发射单元17。射频开关装置13包括一信号馈入端131、一第一连接端133及一第二连接端135，其中信号馈入端131连接天线单元11，第一连接端133连接接收单元15，而第二连接端135则连接发射单元17。请配合参阅图2，为习用之射频开关装置的电路连接示意图，如图所示，习用之射频开关装置13包括一第一晶体管Ml及一第二晶体管M2，其中第一晶体管Ml位于信号馈入端131及第一连接端133之间，而第二晶体管M2则位于信号馈入端131及第二连接端135之间。 在以无线收发器10接收无线信号时，可开启射频开关装置13之第一晶体管M1，并关闭射频开关装置13之第二晶体管M2，使得天线单元11经由射频开关装置13之第一晶体管Ml与接收单元15电性连接，并将天线单元11所接收的信号传送至接收单元15。反之，在以无线收发器10发射无线信号时，可开启射频开关装置13之第二晶体管M2，并关闭射频开关装置13之第一晶体管M1，使得天线单元11经由射频开关装置13之第二晶体管M2与发射单元17电性连接，并将信号由发射单元17传送至天线单元11。
技术实现思路
本专利技术之一目的，在于提供一种射频开关装置，其主要包括多个晶体管及多个可变电容，在应用时可通过晶体管切换射频开关装置的接收或发射路径，并通过可变电容调整射频开关装置不同路径上的阻抗，藉此以提高射频开关装置传输信号的效率。本专利技术之一目的，在于提供一种射频开关装置，其中第一晶体管位于天线单元与接收单元之间，而第三晶体管电性连接第一晶体管，并串接第一变容二极管，第一变容二极管的栅极连接第一晶体管，第一变容二极管的源极和漏极相连后连接第三晶体管。当第一晶体管开启时，第三晶体管将会关闭，通过改变第一变容二极管两端的跨压来降低电容值，使得串接之第三晶体管及第一变容二极管具有较高的阻抗，藉此将可提高天线单元将信号传送至接收单元的比例。当第一晶体管关闭时，第三晶体管则会开启，通过改变第一变容二极管两端的跨压来调高电容值，使得串接之第三晶体管及第一变容二极管具有较低的阻抗，藉此以降低干扰信号被传送至接收单元的比例。本专利技术之一目的，在于提供一种射频开关装置，其中第二晶体管位于天线单元与发射单元之间，而第四晶体管电性连接第二晶体管，并串接第二变容二极管，第二变容二极管的栅极连接第二晶体管，第二变容二极管的源极和漏极相连后连接第四晶体管。当第二晶体管开启时，第四晶体管将会关闭，通过改变第二变容二极管两端的跨压来降低电容值，藉此串接之第四晶体管及第二变容二极管具有较高的阻抗，以提高发射单元将信号传送至天线单元的比例。当第二晶体管关闭时，第四晶体管则会开启，通过改变第二变容二极管两端的跨压来调高电容值，使得串接之第四晶体管及第二变容二极管具有较低的阻抗，藉此以降低干扰信号被传送至发射单元的比例。本专利技术之一目的，在于提供一种射频开关装置，主要通过可变电容(变容二极管)的使用，可有效提高单位面积电容值，亦可进一步将可变电容(变容二极管)共迭至层板电容之下，提升电路布局图上面积重复使用率，进一步达成缩减面积的目的。本专利技术之一目的，在于提供一种射频开关装置，其中信号馈入端与第一连接端之间的路径定义为第一串联路径，信号馈入端与第二连接端之间的路径定义为第二串联路径，连接第一串联路径与接地端之间的路径定义为第一并联路径，连接第二串联路径与接地端之间的路径定义为第二并联路径。第一晶体管及第一可变电容位于第一串联路径，第二晶体管及第二可变电容位于第二串联路径，第三晶体管位于第一并联路径，而第四晶体管则位于第二并联路径。 为达到上述目的，本专利技术提供一种射频开关装置，包括:一信号馈入端；一第一连接端；一第一晶体管，位于信号馈入端及第一连接端之间，其中第一晶体管连接一第一电压，并通过第一电压控制第一晶体管的开启或关闭；一第二连接端；一第二晶体管，位于信号馈入端及第二连接端之间，其中第二晶体管连接一第二电压，并通过第二电压控制第二晶体管的开启或关闭；一第三晶体管，电性连接第一晶体管，其中第三晶体管连接一第三电压，并通过第三电压控制第三晶体管的开启或关闭；一第四晶体管，电性连接第二晶体管，其中第四晶体管连接一第四电压，并通过第四电压控制第四晶体管的开启或关闭；一第一可变电容，连接第一晶体管和第三晶体管；及一第二可变电容，连接第二晶体管和第四晶体管。此外，本专利技术还提供另一种射频开关装置，包括:一信号馈入端；一第一连接端；一第一晶体管，位于信号馈入端及第一连接端之间，其中第一晶体管连接一第一电压，并通过第一电压控制第一晶体管的开启或关闭；一第二连接端；一第二晶体管，位于信号馈入端及第二连接端之间，其中第二晶体管连接一第二电压，并通过第二电压控制第二晶体管的开启或关闭；一第三晶体管，电性连接第一晶体管；一第四晶体管，电性连接第二晶体管，其中第三晶体管及第四晶体管连接一偏压信号；一第一变容二极管，连接第三晶体管，其中第三晶体管及第一变容二极管通过至少一电阻连接第一电压；及一第二变容二极管，连接第四晶体管，其中第四晶体管及第二变容二极管通过至少一电阻连接第二电压。本专利技术还提供另一种射频开关装置，包括:一信号馈入端；一第一连接端;一第一晶体管，位于该信号馈入端及该第一连接端之间，其中该第一晶体管连接一第一电压，并通过该第一电压控制该第一晶体管的开启或关闭；一第二连接端；一第二晶体管，位于该信号馈入端及该第二连接端之间，其中该第二晶体管连接一第二电压，并通过该第二电压控制该第二晶体管的开启或关闭；一第三晶体管，电性连接该第一晶体管，其中该第三晶体管连接一第三电压；一第四晶体管，电性连接该第二晶体管，其中该第四晶体管连接一第四电压；一第一可变电容，位于该信号馈入端及该第一连接端之间；及一第二可变电容，位于该信号馈入端及该第二连接端之间。在本专利技术射频开关装置一实施例中，其中第一可变电容及第二可变电容为变容二极管。在本专利技术射频开关装置一实施例中，还包括一第五电压、一第六电压、一第七电压及一第八电压，第五电压及第七电压连接第一可变电容，而第六电压和第八电压则连接第二可变电容，通过第五电压及第七电压调整第一可变电容的电容值，第六电压及第八电压调整第二可变电容的电容值。在本专利技术射频开关装置一实施例中，其中第一电压、第二电压、第三电压及第四电压为一控制电压信号，分别控制第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及第四晶体管的开启或关闭；第五电压、第六电压、第七电压及第八电压为一偏压信号，分别提供第三晶体管、第四晶体管、第一晶体管及第二晶体管的漏极和源极偏压。在本专利技术射频开关装置一实施例中，还包括一第三可变电容及一第四可变电容，且第三可变电容连接第三晶体管，而第四可变电容则连接第四晶体管。在本专利技术射频开关装置一实施例中，其中信号馈入端连接一天线单元，第一连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频开关装置，其特征在于，包括：一信号馈入端；一第一连接端；一第一晶体管，位于该信号馈入端及该第一连接端之间，其中该第一晶体管连接一第一电压，并通过该第一电压控制该第一晶体管的开启或关闭；一第二连接端；一第二晶体管，位于该信号馈入端及该第二连接端之间，其中该第二晶体管连接一第二电压，并通过该第二电压控制该第二晶体管的开启或关闭；一第三晶体管，电性连接该第一晶体管，其中该第三晶体管连接一第三电压；一第四晶体管，电性连接该第二晶体管，其中该第四晶体管连接一第四电压；一第一可变电容，连接该第三晶体管；及一第二可变电容，连接该第四晶体管。

【技术特征摘要】
1.一种射频开关装置，其特征在于，包括: 一信号馈入端； 一第一连接端； 一第一晶体管，位于该信号馈入端及该第一连接端之间，其中该第一晶体管连接一第一电压，并通过该第一电压控制该第一晶体管的开启或关闭； 一第二连接端； 一第二晶体管，位于该信号馈入端及该第二连接端之间，其中该第二晶体管连接一第二电压，并通过该第二电压控制该第二晶体管的开启或关闭； 一第三晶体管，电 性连接该第一晶体管，其中该第三晶体管连接一第三电压； 一第四晶体管，电性连接该第二晶体管，其中该第四晶体管连接一第四电压； 一第一可变电容，连接该第三晶体管 '及 一第二可变电容，连接该第四晶体管。2.如权利要求1所述的射频开关装置，其特征在于，该第一可变电容及该第二可变电容为变容二极管、金属氧化物半导体变容二极管或N型/P型金属氧化物半导体晶体管。3.如权利要求1所述的射频开关装置，其特征在于，还包括一第五电压、一第六电压、一第七电压及一第八电压，该第五电压及该第七电压连接该第一可变电容，并通过该第五电压及该第七电压调整该第一可变电容的电容值，而该第六电压及该第八电压则连接该第二可变电容，并通过该第六电压及该第八电压调整该第二可变电容的电容值。4.如权利要求1所述的射频开关装置，其特征在于，还包括一第三可变电容及一第四可变电容，且该第三可变电容连接该第三晶体管，而该第四可变电容则连接该第四晶体管。5.如权利要求1所述的射频开关装置，其特征在于，该信号馈入端连接一天线单元，该第一连接端连接一接收单元，而该第二连接端则连一发射单元。6.如权利要求1所述的射频开关装置，其特征在于，还包括: 一第一串联路径，位于该信号馈入端与该第一连接端之间； 一第二串联路径位于该信号馈入端与该第二连接端之间； 一第一并联路径，连接该第一串联路径及一接地端；及 一第二并联路径，连接该第二串联路径及一接地端，其中该第一晶体管位于该第一串联路径，该第二晶体管位于该第二串联路径，该第三晶体管及该第一可变电容位于该第一并联路径，而该第四晶体管及该第二可变电容则位于该第二并联路径。7.如权利要求1所述的射频开关装置，其特征在于，还包括一第三可变电容及一第四可变电容，且该第三可变电容连位于该第一并联路径，而该第四可变电容则位于第二并联路径。8.一种射频开关装置，其特征在于，包括: 一信号馈入端； 一第一连接端； 一第一晶体管，位于该信号馈入端及该第一连接端之间，其中该第一晶体管连接一第一电压，并通过该第一电压控制该第一晶体管的开启或关闭； 一第二连接端； 一第二晶体管，位于该信号馈入端及该第二连接端之间，其中该第二晶体管连接一第二电压，并通过该第二电压控制该第二晶体管的开启或关闭； 一第三晶体管，电性连接该第一晶体管； 一第四晶体管，电性连接该第二晶体管，其中该第三晶体管及该第四晶体管连接一偏压信号； 一第一可变电容，连接该第三晶体管，其中该第三晶体管及该第一变容二极管通过至少一电阻连接该第一电压；及 一第二可变电容，连接该第四晶体管，其中该第四晶体管及该第二变容二极管通过至少一电阻连接该第二电压。9.如权利要求8所述的射频开关装置，其特征在于，该第一可变电容及该第二可变电容为变容二极管、金属氧化物半导体变容二极管或N型/P型金属氧化物半导体晶体管。10.如权利要求8所述的射频开关装置，其特征在于，还包括一第三变容二极管及一第四变容二...

【专利技术属性】
技术研发人员：纪秉松，李建广，
申请(专利权)人：络达科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：