芯片式平衡-不平衡变压器制造技术

芯片式平衡‑不平衡变压器，包括：一主绕线，为一非对称绕线电感，该主绕线包括至少一并联线圈与多个第一串联半圈线圈，该些第一串联半圈线圈连接至该并联线圈；以及一次绕线，磁耦合于该主绕线，该次绕线为一对称绕线电感，该次绕线包括多个第二串联半圈线圈，该些第二串联半圈线圈互相连接。该些第二串联半圈线圈的至少其中之一介于该并联线圈之中。该主绕线与该次绕线为共平面。

【技术实现步骤摘要】
芯片式平衡-不平衡变压器
本专利技术涉及一种芯片式平衡-不平衡变压器(On-chiptransformerbalun)。
技术介绍
芯片式平衡-不平衡变压器(on-chiptransformerbalun)已广泛应用于无线通讯中，例如，无线通讯装置的功率放大器电路之中。对于无线通讯装置的功率放大器电路而言，芯片式平衡-不平衡变压器较好可以具有高匝数比(turnratio)以达到高阻抗到低阻抗的匹配。此外，芯片式平衡-不平衡变压器较好可以具有高耦合系数(couplingfactor)，以降低电压转换的损耗。另外，由于无线通讯装置的通讯频率愈来愈高，芯片式平衡-不平衡变压器较好可以应用于高频应用中。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种芯片式平衡-不平衡变压器包括：一主绕线，为一非对称绕线电感，该主绕线包括至少一并联线圈与多个第一串联半圈线圈，该些第一串联半圈线圈连接至该并联线圈；以及一次绕线，磁耦合于该主绕线，该次绕线为一对称绕线电感，该次绕线包括多个第二串联半圈线圈，该些第二串联半圈线圈互相连接。该些第二串联半圈线圈的至少其中之一介于该并联线圈之中。该主绕线与该次绕线为共平面。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。附图说明图1根据本案第一实施例的芯片式平衡-不平衡变压器的正视图；图2绘示图1的剖视图，以显示平衡-不平衡变压器系7层结构(包括金属层1M-7M)；图3A至图3F分别显示，在本案第一实施例中，形成于金属层2M-7M上的平衡-不平衡变压器的元件；图4根据本专利技术第二实施例的芯片式平衡-不平衡变压器的正视图；图5A至图5F分别显示，在本专利技术第二实施例中，形成于金属层2M-7M上的平衡-不平衡变压器的元件；图6根据本专利技术第三实施例的芯片式平衡-不平衡变压器的正视图；图7A至图7F分别显示，在本专利技术第三实施例中，形成于金属层2M-7M上的平衡-不平衡变压器的元件；图8根据本专利技术第四实施例的芯片式平衡-不平衡变压器的正视图；图9A至图9F分别显示，在本专利技术第四实施例中，形成于金属层2M-7M上的平衡-不平衡变压器的元件；图10显示根据本专利技术一实施例的平衡-不平衡变压器的等效电路图。其中，附图标记100A-100D：芯片式平衡-不平衡变压器12A-12D：主绕线13A-13D：次绕线14A-14D：第一端口15A-15D：第二端口16A-16D：第三端口17A-17D：第四端口C1A-C12A、C1B-C12B、C1C-C16C、C1D-C16D：半圈线圈MB1A-MB12A、MB1B-MB11B、MB1C-MB16C、MB1D-MB15D：金属电桥V1A-V17A、V1A-V13B、V1C-V23C、V1D-V19D：贯孔CS1A-CS2A、CS5A-CS8A、CS11A、CS12A、CS13A、CS1B、CS2B、CS6B、CS7B、CS10B、CS11B、CS13B、CS1C-CS5C、CS7C-CS10C、CS13C-CS15C、CS1D-CS3D、CS8D、CS10D、CS13D、CS15D、CS16D：导电段具体实施方式本说明书的技术用语参照本
的习惯用语，如本说明书对部分用语有加以说明或定义，该部分用语的解释是以本说明书的说明或定义为准。本揭露的各个实施例分别具有一或多个技术特征。在可能实施的前提下，本
具有通常知识者可选择性地实施任一实施例中部分或全部的技术特征，或者选择性地将这些实施例中部分或全部的技术特征加以组合。第一实施例请一并参阅图1、图2与图3A至图3F。图1根据本专利技术第一实施例的一芯片式平衡-不平衡变压器的一正视图。图2绘示图1的剖视图，以显示平衡-不平衡变压器系7层结构(包括金属层1M-7M)。图3A至图3F分别显示，在本专利技术第一实施例中，形成于金属层2M-7M上的平衡-不平衡变压器的元件。根据本专利技术第一实施例，芯片式平衡-不平衡变压器100A包含主绕线12A以及次绕线13A，主绕线12A磁耦合于次绕线13A，主绕线12A与次绕线13A为共平面。主绕线12A包含半圈线圈(semi-turncoil)C1A、C3A、C5A、C7A、C9A、C11，以及金属电桥(metalbridge)MB1A-MB6A、MB12A。此外，主绕线12A更包含第一端口14A与第二端口15A。第一端口14A连接至半圈线圈C1A，而第二端口15A连接至半圈线圈C7A。主绕线12A可通过第一端口14A与第二端口15A而耦接/连接至天线(未示出)。次绕线13A包含半圈线圈C2A、C4A、C6A、C8A、C10A、C12A，以及金属电桥MB7A-MB11A。次绕线13A更包含第三端口16A与第四端口17A。第三端口16A连接至半圈线圈C2A，而第四端口17A连接至半圈线圈C8A。次绕线13A可通过第三端口16A与第四端口17A而耦接/连接至后端电路(例如，差动放大器)。半圈线圈C1A与半圈线圈C3A通过金属电桥MB1A与金属电桥MB2A而形成第一并联半圈线圈。第一并联半圈线圈通过金属电桥MB3A而连接至半圈线圈C11A。相似地，半圈线圈C7A与半圈线圈C9A通过金属电桥MB6A与金属电桥MB12A而形成第二并联半圈线圈。第二并联半圈线圈通过金属电桥MB5A而连接至半圈线圈C5A。半圈线圈C1A的右端通过金属电桥MB2A与金属电桥MB3A连接至半圈线圈C11A的右端；以及半圈线圈C1A的左端连接至第一端口14A。半圈线圈C2A的右端连接至第三端口16A；以及半圈线圈C2A的左端通过金属电桥MB7A连接至半圈线圈C10A的左端。半圈线圈C3A的右端通过金属电桥MB3A连接至半圈线圈C11A的右端；以及半圈线圈C3A的左端通过金属电桥MB1A连接至第一端口14A。半圈线圈C4A的右端通过金属电桥MB10A连接至半圈线圈C12A的右端；以及半圈线圈C4A的左端通过金属电桥MB11A连接至半圈线圈C8A的左端。半圈线圈C5A的右端通过金属电桥MB5A连接至半圈线圈C9A的右端；以及半圈线圈C5A的左端通过金属电桥MB4A连接至半圈线圈C11A的左端。半圈线圈C6A的右端通过金属电桥MB8A连接至半圈线圈C10A的右端；以及半圈线圈C6A的左端通过金属电桥MB9A连接至半圈线圈C12A的左端。半圈线圈C7A的右端通过金属电桥MB12A与金属电桥MB5A连接至半圈线圈C5A的右端；以及半圈线圈C7A的左端连接至第二端口15A。半圈线圈C8A的右端连接至第四端口17A；以及半圈线圈C8A的左端通过金属电桥MB11A连接至半圈线圈C4A的左端。半圈线圈C9A的右端通过金属电桥MB5A连接至半圈线圈C5A的右端；以及半圈线圈C9A的左端通过金属电桥MB6A连接至第二端口15A。半圈线圈C10A的右端通过金属电桥MB8A连接至半圈线圈C6A的右端；以及半圈线圈C10A的左端通过金属电桥MB7A连接至半圈线圈C2A的左端。半圈线圈C11A的右端通过金属电桥MB3A连接至半圈线圈C3A的右端；以及半圈线圈C11A的左端通过金属电桥MB4A连接至半圈线圈C5A的左端。半圈线圈C12A的右端通过金属电桥MB10A连接至半圈线圈C4A的右端；以及半圈线圈C12A的左端通过金属电桥MB9A本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片式平衡‑不平衡变压器，其特征在于，包括：一主绕线，为一非对称绕线电感，该主绕线包括至少一并联线圈与多个第一串联半圈线圈，该些第一串联半圈线圈连接至该并联线圈；以及一次绕线，磁耦合于该主绕线，该次绕线为一对称绕线电感，该次绕线包括多个第二串联半圈线圈，该些第二串联半圈线圈互相连接；其中，该些第二串联半圈线圈的至少其中之一介于该并联线圈之中；以及该主绕线与该次绕线为共平面。

【技术特征摘要】
2017.12.12 TW 1061436231.一种芯片式平衡-不平衡变压器，其特征在于，包括：一主绕线，为一非对称绕线电感，该主绕线包括至少一并联线圈与多个第一串联半圈线圈，该些第一串联半圈线圈连接至该并联线圈；以及一次绕线，磁耦合于该主绕线，该次绕线为一对称绕线电感，该次绕线包括多个第二串联半圈线圈，该些第二串联半圈线圈互相连接；其中，该些第二串联半圈线圈的至少其中之一介于该并联线圈之中；以及该主绕线与该次绕线为共平面。2.根据权利要求1所述的芯片式平衡-不平衡变压器，其特征在于，该并联线圈包括多个并联半圈线圈，各并联半圈线圈包括多个半圈线圈与一第一金属电桥群组，该第一金属电桥群组分别连接该些半圈线圈的各别末端，且该第一金属电桥群组横跨介于该次绕线之中的该第二串联半圈线圈。3.根据权利要求1所述的芯片式平衡-不平衡变压器，其特征在于，该并联线圈包括至少一并联全圈线圈，该并联全圈线圈包括多个半圈线圈与一第二金属电桥群组，该第二金属电桥...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾国育，简世杰，
申请(专利权)人：络达科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71