高功率白LED及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种高功率白LED及其制造方法。一种发光装置，其具有用于发射短波长的光的光源。下变频材料接收并下变频至少一些由所述光源发射的短波长的光，并后向散射所接收并下变频的光的一部分。与所述下变频材料相邻的光学器件至少部分包围所述光源。所述光学器件用于提取至少一些所述后向散射的光。密封物基本密封所述光源和所述光学器件之间的间隙。

【技术实现步骤摘要】
高功率白LED及其制造方法本申请是申请日为2007年5月31日，名称为“高功率白LED及其制造方法”，申请号为200780042748.6的专利技术专利申请的分案申请。相关申请本申请要求于2006年11月17日提交的美国临时专利申请60/859,633号的优先权，以引用的方式将该申请的内容并入此处。
技术介绍
包括具有发光二极管（LED）和共振腔LED(RCLED)的固态灯的固态发光装置非常有用，因为潜在地，它们能够比常规的白炽灯和荧光灯提供更低的制造成本和较长使用寿命。由于固态发光装置的工作（点亮）时间长且功耗低，因此即使在它们的初始成本比常规灯的初始成本高的情况下，这种固态发光装置往往也能提供实用的成本效益。因为可以使用大规模半导体制造技术，所以能够以极低的成本来制造大量的固态灯。除了在诸如家用和消费电器、视听设备、电信装置及汽车仪表标记上的指示灯的应用外，LED已经在室内和室外信息显示中得到广泛的应用。随着发射短波长（例如，蓝光或紫外（UV））辐射的高效LED的发展，通过将LED初始发射的一部分下变频（即：荧光粉变频）至更长波长从而产生白光的LED的制造已经变得可行。将LED的初始发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，包括：辐射源，没有圆顶封装；光学器件，放置于所述幅射源上且包括端面及光透射壁；下变频材料，位于所述端面上；及密封物，位于所述辐射源及所述光学器件间的间隙。

【技术特征摘要】
2006.11.17 US 60/859,633;2006.12.22 US 11/644,8151.一种发光装置，包括：热沉；辐射源，放置于所述热沉上并且没有圆顶封装；光学器件，放置于所述辐射源上且包括端面及光透射壁；下变频材料，位于所述端面上；密封物，位于所述辐射源及所述光学器件间的间隙；透镜，放置于所述光...

【专利技术属性】
技术研发人员：N·内雷德兰，顾益敏，
申请(专利权)人：伦斯勒工业学院，
类型：发明
国别省市：