离子检测装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够谋求到检测精度的提高以及结构的单纯化的离子检测装置。检测正离子的离子检测装置（1A）具备：设置有使正离子进入的离子进入口（3）的腔室（2）、被配置于腔室（2）内并且被施加负电位的转换倍增极（9）、被配置于腔室（2）内并具有与转换倍增极（9）相对并且入射从转换倍增极（9）释放出来的二次电子的电子入射面（30a）的雪崩光电二极管（30）；电子入射面（30a）在被接地的腔室（2）中相对于支撑雪崩光电二极管（30）的定位部（14）而言位于转换倍增极（9）一侧。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及检测正离子的离子检测装置、检测正离子以及负离子的离子检测装置。
技术介绍
作为现有的离子检测装置众所周知具备:由离子冲撞而释放出二次电子的转换倍增极(conversion dynode)、由转换倍增极释放出来的二次电子的入射而进行发光的闪烁器、检测由闪烁器发出的光的光检测器(例如，日本特开平10-188878号公报、日本特开昭63-276862号公报、日本特许第4639379号公报)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利申请公开平10-188878号公报专利文献2:日本专利申请公开昭63-276862号公报专利文献3:日本专利第4639379号公报专利文献4:日本专利第4608572号公报
技术实现思路
然而，关于以上所述那样的离子检测装置除了要提高检测精度之外还要求结构的单纯化。特别是在由闪烁器(荧光体)进行的二次电子变换过程中所生成的余辉(afterglow)对于提高检测精度来说会成为一个大的技术问题。因此，本专利技术的目的在于提供一个能够谋求到检测精度提高以及结构单纯化的离子检测装置本专利技术一个观点的离子检测装置是一种检测正离子的离子检测装置，且具备:设置有使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子检测装置，其特征在于：是检测正离子的离子检测装置，具备：框体，设置有使所述正离子进入的离子进入口；转换倍增极，被配置于所述框体内并且被施加负电位；以及半导体电子检测元件，被配置于所述框体内并具有与所述转换倍增极相对并且入射从所述转换倍增极释放出的二次电子的电子入射面，所述电子入射面在被接地的所述框体中相对于支撑所述半导体电子检测元件的部分而言位于所述转换倍增极一侧。

【技术特征摘要】
2012.01.25 JP 2012-013067;2012.01.25 JP 2012-01301.一种离子检测装置，其特征在于: 是检测正离子的离子检测装置， 具备: 框体，设置有使所述正离子进入的离子进入口； 转换倍增极，被配置于所述框体内并且被施加负电位；以及 半导体电子检测元件，被配置于所述框体内并具有与所述转换倍增极相对并且入射从所述转换倍增极释放出的二次电子的电子入射面， 所述电子入射面在被接地的所述框体中相对于支撑所述半导体电子检测元件的部分而言位于所述转换倍增极一侧。2.如权利要求1所述的离子检测装置，其特征在于: 进一步具备覆盖电极，其被配置于所述框体内并具有从所述转换倍增极行进到所述半导体电子检测元件的所述二次电子所通过的电子通过口， 所述半导体电子检测元件为雪崩光电二极管。3.如权利要求2所述的离子检测装置，其特征在于: 在从所述转换倍增极与所述电子入射面相对的方向进行观察的情况下，所述电子入射面包含所述电子通过口。4.如权利要求2或者3所述的离子检测装置，其特征在于: 所述覆盖电极是容纳所述半导体电子检测元件的外壳的一部分。5.如权利要求2 4中任意一项所述的离子检测装置，其特征在于: 所述覆盖电极与被接地的所述框体电连接。6.如权利要求1 5中任意一项所述的离子检测装置，其特征在于: 在所述离子进入口张设有被施加负电位的第I网状物。7.如权利要求6所述的离子检测装置，其特征在于: 在所述离子进入口以相对于所述第I网状物位于外侧的形式张设有第2网状物， 在所述第2网状物上以绝对值小于被施加于所述第I网状物的电位的形式施加正电位。8.如权利要求1 7中任意一项所述的离子检测装置，其特征在于: 成为与所述框体相同电位的一对电极构件被配置为，在所述框体内相对于所述转换倍增极以及所述电子入射面而位于所述离子进入口一侧，并且在从所述离子进入口一侧进行观察的情况下在与所述转换倍增极和所述电子入射面相对的方向大致相垂直的方向上夹持所述离子进入口。9.一种离子检测装置，其特征在于: 是检测正离子以及负离子的离子检测装置， 具备: 框体，设置有使所述正离子以及所述负离子进入的离子进入口 ； 转换倍增极，被配置于所述框体内并且被施加负电位； 半导体电子检...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林浩之，须山本比吕，小谷政弘，大村孝幸，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：