电子照相感光体及其制造方法、处理盒以及成像装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种清洁不良及调色剂转印不良得以抑制的电子照相感光体及其制造方法、以及具有该电子照相感光体的处理盒和成像装置。所述电子照相感光体具有导电性支持体、设置于导电性支持体上的感光层、以及设置于感光层上且含有粘结树脂及氟系颗粒的保护层5，所述保护层中，相对于所述粘结树脂的所述氟系颗粒的含量在表面侧比在所述感光层侧高，并且所述保护层中的存在于表层区域5A的所述氟系颗粒7A的个数相对于所述保护层中所含的所述氟系颗粒的总个数为15个数%以上且35个数%以下，其中所述表层区域为从表面至相当于所述氟系颗粒的平均粒径的深度处的区域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子照相感光体及其制造方法、处理盒以及成像装置。
技术介绍
专利文献I公开了一种电子照相感光体，其特征在于，表面层中从表面至深度L[ym]的表面层上部中所含的颗粒的个数相对于该表面层中所含的粒子的总个数为40^95 个数 ％，其中所述深度 Uym]被定义为 L=Ll X (Rp/Dp) /0.74/ (Ro/Do+Rp/Dp)。专利文献2公开了一种有机感光体，其特征在于，保护层含有含氟树脂微粒，该保护层中的含氟树脂微粒的面积率Al、A2及A3满足下述关系。0.3 ^ A2 ^ 0.02A2 > Al ^ A2X0.51.0 > A3/A2 ^ 0.5其中，Al:存在于从表面至深度0.5 μ m的含氟树脂微粒的面积率 A2:存在于从表面至深度3.0 μ m的含氟树脂微粒的面积率专利文献3公开了:在具备光导电层和该光导电层的支持体的电子照相感光体中，在光导电层上设置以热固型含氟聚酰亚胺为主要成分的保护层。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2009-145480号公报专利文献2:日本特开2008-046197号公报专利文献3:日本特开平05-119502号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的目的在于，提供一种清洁不良以及调色剂转印不良得以抑制的电子照相感光体。解决问题的手段为了实现上述目的，提供以下的专利技术。第I专利技术为一种电子照相感光体，其具有:导电性支持体、设置于所述导电性支持体上的感光层、以及设置于所述感光层上并且含有粘结树脂及氟系颗粒的保护层，所述保护层中，相对于所述粘结树脂，所述氟系颗粒的含量在表面侧比所述感光层侧高，并且存在于所述保护层的从表面至相当于所述氟系颗粒的平均粒径的深度处的表层区域中的所述氟系颗粒的个数相对于所述保护层中所含的所述氟系颗粒的总个数为15个数％以上且35个数％以下。第2专利技术为第1专利技术所述的电子照相感光体，其中，所述保护层中的所述氟系颗粒的个数％从所述保护层的表面侧向所述感光层侧连续地或阶梯式地减少。第3专利技术为第I专利技术或第2专利技术所述的电子照相感光体，其中，所述氟系颗粒的平均粒径为0.15 μ m以上且0.25 μ m以下，相对于所述保护层中所含的所述氟系颗粒的总个数，所述保护层的深度方向上的所述氟系颗粒的个数满足下式(I)。Al > A2 ^ A3 ^ A4...(I)Al:保护层的所述表层区域中存在的氟系颗粒的个数％A2:从距离保护层的表面深度为0.5μπι以内的区域中存在的氟系颗粒的个数％中减去Al后的值A3:从距离保护层的表面深度为1.Ομπι以内的区域中存在的氟系颗粒的个数％中减去Al和Α2后的值Α4:为在距离保护层的表面超过1.0 μ m的深度、每0.5 μ m中存在的氟系颗粒的平均个数％，将保护层的膜厚设定为Lu m时(其中，L > 1)，由下式(2)得到的值A4= [ (100-(A1+A2+A3))/(L-1)] X0.5— (2)第4专利技术为一种处理盒，其备有第I专利技术 第3专利技术中任一项所述的电子照相感光体，并且以可拆卸的方式安装于成像装置上。第5专利技术为一种成像装置，其具有:第I专利技术 第3专利技术中任一项所述的电子照相感光体；对所述电子照相感光体的表面充电的充电装置；在充电后的所述电子照相感光体的表面形成静电潜像的潜像形成装置；容纳含有调色剂的显影剂、并且利用所述显影剂将形成于所述电子照相感光体表面的所述静电潜像显影而形成调色剂图像的显影装置；将形成于所述电子照相感光体表面的所述调色剂图像转印至记录介质上的转印装置；以及对残留于所述电子照相感光体表面的调色剂进行清洁的清洁装置。第6专利技术为一种电子照相感光体的制造方法，其用于制造第I专利技术 第3专利技术中任一项所述的电子照相感光体，包括以下工序:在导电性支持体上形成感光层的工序；在所述感光层上涂敷含有粘结树脂及氟系颗粒的保护层形成用涂敷液以形成涂膜的第I涂敷工序；在所述涂膜上涂敷分散有所述氟系颗粒的氟系颗粒分散液的第2涂敷工序；以及在所述第2涂敷工序之后，通过将所述涂膜加热干燥使其固化而形成保护层的加热干燥工序。 第7专利技术为第6专利技术所述的电子照相感光体的制造方法，还包括第3涂敷工序:在所述第2涂敷工序之后、并且所述加热干燥工序之前，将涂敷液涂敷于所述涂膜上，该涂敷液含有在所述保护层形成用涂敷液中所含的成分中除了所述氟系颗粒以外的成分。专利技术效果根据第I专利技术，提供一种电子照相感光体，与如下情况相比，可以抑制清洁不良以及调色剂转印不良，所述情况为:相对于保护层中所含的所述粘结树脂的所述氟系颗粒的含量在表面侧比在所述感光层侧更高，并且存在于保护层的表层区域中的氟系颗粒的个数相对于所述保护层中所含的所述氟系颗粒的总个数在15个数％以上且35个数％以下的范围之外。根据第2专利技术，提供一种电子照相感光体，与保护层中的氟系颗粒的个数％不是从所述保护层的表面侧向所述感光层侧连续地或阶梯式地减少的情况相比，可以抑制清洁不良及调色剂转印不良。根据第3专利技术，提供一种电子照相感光体，与保护层的深度方向上的氟系颗粒的个数％不满足前式(I)的关系的情况相比，可以抑制清洁不良及调色剂转印不良。根据第4和5专利技术，提供了一种处理盒和成像装置，与应用了如下的电子照相感光体的情况相比，可以抑制清洁不良及调色剂转印不良，所述电子照相感光体为这样的电子照相感光体:相对于保护层中所含的所述粘结树脂的所述氟系颗粒的含量在表面侧比在所述感光层侧高，并且存在于所述保护层的表层区域(从表面至相当于氟系颗粒的平均粒径的深度的区域)中的氟系颗粒的个数相对于所述保护层中所含的所述氟系颗粒的总个数在15个数％以上且35个数％的范围外。根据第6专利技术，提供一种易于制造电子照相感光体的方法，该电子照相感光体具有如下保护层:所述保护层含有粘结树脂及氟系颗粒，并且相对于所述粘结树脂的所述氟系颗粒的含量在表面侧比在感光层侧高，且存在于所述保护层的表层区域(从表面至相当于所述氟系颗粒的平均粒径的深度的区域)中的所述氟系颗粒的个数相对于所述保护层中所含的所述氟系颗粒的总个数为15个数％以上且35个数％以下。根据第7专利技术，与不包含所述第3涂敷工序的情况相比，提供一种易于制造清洁不良及调色剂转印不良得以抑制的电子照相感光体。附图简要说明附图说明图1是表示本实施方案涉及的电子照相感光体中的层构成的一个例子的剖面示意图。图2是表示本实施方案涉及的电子照相感光体中的层构成的其它例子的剖面示意图。图3是表示本实施方案涉及的电子照相感光体的保护层中所含的氟系颗粒在深度方向的分布的一个例子的示意图。图4 (A)是表示利用喷墨方式从液滴吐出头喷出而命中的液滴的一部分重叠的状态的示意图，(B)是表示液滴吐出头相对于圆筒状支持体的倾斜度的示意图。图5是表示利用喷墨方式形成保护层的方法的一个例子的示意图。图6是表示本实施方案涉及的成像装置的一个例子的构成示意图。图7是表示本实施方案涉及的成像装置的其它例子的构成示意图。图8是表示实施例1中制作的感光体的保护层的深度方向上的剖面的SM照片。图9是表示比较例I中制作的感光体的保护层的深度方向上的剖面的SEM照片。图10是表示比较例2中制作的感光体的保护层的深度方向上的剖面的SEM照片。符号说明I导电性支持体、2感光层、2A本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子照相感光体，具有：导电性支持体、设置于所述导电性支持体上的感光层、设置于所述感光层上并且含有粘结树脂及氟系颗粒的保护层，所述保护层中，相对于所述粘结树脂的所述氟系颗粒的含量在表面侧比在所述感光层侧高，并且所述保护层中的存在于表层区域中的所述氟系颗粒的个数相对于所述保护层中所含的所述氟系颗粒的总个数为15个数%以上且35个数%以下，其中所述表层区域为从表面至相当于所述氟系颗粒的平均粒径的深度处的区域。

【技术特征摘要】
2012.01.20 JP 2012-0104051.一种电子照相感光体,具有: 导电性支持体、 设置于所述导电性支持体上的感光层、 设置于所述感光层上并且含有粘结树脂及氟系颗粒的保护层， 所述保护层中，相对于所述粘结树脂的所述氟系颗粒的含量在表面侧比在所述感光层侧高，并且所述保护层中的存在于表层区域中的所述氟系颗粒的个数相对于所述保护层中所含的所述氟系颗粒的总个数为15个数％以上且35个数％以下，其中所述表层区域为从表面至相当于所述氟系颗粒的平均粒径的深度处的区域。2.权利要求1所述的电子照相感光体，其中，所述保护层中的所述氟系颗粒的个数％从所述保护层的表面侧向所述感光层侧连续地或阶梯式地减少。3.权利要求1或2所述的电子照相感光体，其中，所述氟系颗粒的平均粒径为0.15 μ m以上且0.25 μ m以下，相对于所述保护层中所含的所述氟系颗粒的总个数，所述保护层的深度方向上的所述氟系颗粒的个数满足下式(I )，Al > A2 ≥ A3≥ A4...(I) Al:在保护层的所述表层区域中所存在的 氟系颗粒的个数％ ； A2:从距离保护层表面的深度为0.5μπι以内的区域中所存在的氟系颗粒的个数％中减去Al后的值； A3:从距离保护层表面的深度为1.Ομπι以内的区域中所存在的氟系颗粒的个数％中减去Al和Α2后的值； Α4:为在距离保护层的表面超过1.0 μ m的深度、每0.5 μ m中所存在的氟系颗粒的平均个数％，在保护层...

【专利技术属性】
技术研发人员：武井雅之，多田一幸，池田贤治，
申请(专利权)人：富士施乐株式会社，
类型：发明
国别省市：