移位暂存器及其方法技术

本发明专利技术揭露一种移位暂存器及其方法，该移位暂存器包含第一至第三晶体管，该第一至第三晶体管各具有第一端、第二端与控制端，该第一晶体管的第二端、该第二晶体管的第一端和该第三晶体管的控制端电连接于一个节点，且该第一晶体管的第一端电连接于该第一晶体管的控制端。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及移位暂存器(shift register),尤其涉及一种具有较精简电路与较低静态功率消耗的移位暂存器。
技术介绍
一种将扫描驱动电路(Scan driver,—般称作栅极驱动器:Gate driver)结合在玻璃基版上面并且利用标准薄膜晶体管制程(Thin film transistorprocess)生产,从而可以达到更高分辨率以及降低生产成本的技术已经被广泛使用，其已经成功实现于只有N型晶体管(N-type transistor)的非晶娃薄膜晶体管制程(Amorphous silicon thinfilm transistor process),扫描驱动电路是以移位暂存器来实现其功能。图1所示为韩国三星(Samsung)在2008年公开的栅极驱动电路(美国专利申请号US 20080100560),其包括上拉部(pull-up part)211、下拉部(pull-down part) 213、上拉驱动部(pull-updrivingpart)214、链波防止部(ripple preventing part)215、保持部(holdingpart) 216、逆变器21本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设置在玻璃基版上的移位暂存器，包含：第一薄膜晶体管，包括：第一端，接收启动脉冲或(N?1)级脉冲；第二端；以及控制端，电连接于所述第一端；第二薄膜晶体管，包括：第一端，接收时脉信号；第二端，输出N级脉冲；以及控制端，电连接于所述第一薄膜晶体管的第二端；以及电容器，具有第一端与第二端，其中所述第一端电连接于所述第二薄膜晶体管的控制端，且所述第二端电连接于所述第二薄膜晶体管的第二端；以及第三薄膜晶体管，包括：第一端，电连接所述电容器的第一端于第一节点；第二端，接收公共接地端电压；以及控制端，接收(N+2)级脉冲。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：柯健专，吴昭慧，
申请(专利权)人：瀚宇彩晶股份有限公司，
类型：发明
国别省市：