移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置，所述移位寄存器单元包括：驱动晶体管；第一电容，用于存储上一级电信号；输出上拉模块，与驱动晶体管的漏极相连接；驱动输出端，与驱动晶体管的源极相连接；进位信号输出端，与驱动晶体管的栅极相连接或者与驱动输出端相连接；输出下拉模块，与驱动晶体管的源极相连接；第一下拉模块，通过上拉节点与驱动晶体管的栅极相连接，以及通过下拉节点与输出下拉模块相连接，隔离上拉模块，连接在上拉节点和第一电容之间。本发明专利技术采用了将起始充电电容与驱动管栅极相隔离，同时对驱动管的栅极和输出端采用双下拉结构，可以实现晶体管正常关闭，防止漏电的产生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机发光显示领域，尤其涉及一种移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置。
技术介绍
随着平板显示的发展，高分辨率，窄边框成为发展的潮流，而要实现高分辨率，窄边框显示，面板上集成栅极驱动电路是最重要的解决办法。对于a-si (非晶硅)和p-si (多晶硅)技术，现有的各种成熟移位寄存电路可以很好的实现这个目标。氧化物TFT (晶体管)作为一种非常有潜力的半导体技术，相比于p-si工艺更简单，成本更低，相比于a-si迁移率更高，因而越来越受到重视，未来很可能是OLED (有机发光二极管)，柔性显示的主流背板驱动技术。然而氧化物TFT是一种耗尽型晶体管，而前面提到的a-si TFT和p-si TFT为增强型的晶体管。图1为传统的基本的移位寄存器单元的电路图。如图1所示，该基本的移位寄存器单元包括上拉薄膜晶体管、下拉薄膜晶体管、第一电容Cl、上拉控制薄膜晶体管T100、下拉控制薄膜晶体管T200、第二电容C2、第一时钟信号输入端CK、第二时钟信号输入端CKB、输入端Input、复位端Reset和输出端Output ；上拉节点(PU点)为与上拉薄膜晶体管的栅极连接的节点，下拉节点(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种移位寄存器单元，其特征在于，包括：驱动晶体管；第一电容，用于存储上一级电信号；输出上拉模块，与驱动晶体管的漏极相连接，用于将驱动晶体管的漏极上拉为高电平；驱动输出端，与驱动晶体管的源极相连接；进位信号输出端，与驱动晶体管的栅极相连接或者与驱动输出端相连接，用于向下一级输出电信号；输出下拉模块，与驱动晶体管的源极相连接，用于将驱动晶体管的源极下拉到第二电位；第一下拉模块，通过上拉节点与驱动晶体管的栅极相连接，以及通过下拉节点与输出下拉模块相连接，用于将上拉节点下拉到第二电位或者下拉到第一电位，所述上拉节点为所述第一下拉模块与所述驱动晶体管的栅极的连接点，所述下拉节点为所述第一下拉节点与所述输...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：青海刚，祁小敬，聂磊森，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：