【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，具体是一种通过错误矫正增加错误纠正能力提高闪存使用寿命的方法。
技术介绍
随着嵌入式技术发展，NAND (与非)闪存的应用越来越广泛。闪存是一种常用的存储介质，具有体积小、容量大、成本低、掉电数据不丢失等一系列优点。通常，一个闪存是由若干个闪存组块组成，每个闪存块又分为若干物理页。闪存块是擦除操作的最小单位，而读写都是以页为单位进行，对于每个物理页进行重写之前，必须先对该页所在的块执行擦除操作。由于在NAND闪存的生产及使用过程中会产生坏块，为了检测数据的可靠性，在应用闪存的系统中都会采用一定的坏区管理策略。因此，在不影响正常使用情况下如何延长闪存使用寿命，成为目前的一个研究热点。在本领域,对于ECC (Error Correcting Code,错误检查和纠正,简称错误校正码或纠错码)的一般认识是，由于存储于闪存的数据的码元有可能产生错误，为保证读写的正确性，在闪存中写入数据时，会根据与写入的数据产生一个错误校正码，该错误校正码会被存放在闪存的相应页预先分配的存储空间中，该部分存储空间不能被数据所占用。依据错误码，当读取闪存中存放的数据时，即可...
【技术保护点】
一种提高闪存使用寿命的方法，其特征在于，将闪存页进行分组，并通过闪存逻辑转换层基于并行读写的方法将组内页面映射为一个总页面，分配该总页面的一个存储空间用于存放纠错码，用于对所属组的页面进行读写时的纠错。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张洪柳，张青，李峰，王璞，高美洲，
申请(专利权)人：山东华芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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