化学机械抛光(CMP)头、设备和方法以及由此制造的平面化半导体晶片技术

化学机械抛光／平面化（ＣＭＰ）设备、方法和由此生产出的衬底。抛光表面中具有不均匀的凹槽。ＣＭＰ头和方法具有整体浆液分配机构。ＣＭＰ设备和方法具有旋转的固定环。ＣＭＰ设备和方法具有带柔软背衬的抛光头。ＣＭＰ能够在抛光和平面化过程中有效使用浆液。由ＣＭＰ设备或方法生产的衬底（半导体晶片）。在一个实施例中，该设备（１００）包括具有附着在下衬底保持表面（１６５）上的柔性部件（１８５）的副载体（１６０）。柔性部件（１８５）中具有孔（１９５），从而在柔性部件和副载体（１６０）之间引入的加压流体直接将衬底（１０５）压在抛光表面（１２５）上。这些孔（１９５）的数目和尺寸被选择为能够在柔性部件（１８５）和衬底（１０５）之间提供充分的摩擦，以在驱动机构使副载体（１６０）转动时产生转动。副载体（１６０）具有用来在位于下表面（１６５）和柔性部件（１８５）之间的凹穴（２１５）上抽真空的开口。柔性部件和衬底（１０５）用作阀（２２５），以在已经实现预定真空时使开口与空腔隔离。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种对衬底进行抛光和平面化的系统、设备和方法，尤其涉及一种化学机械平面化或抛光(CMP)设备和方法。
技术介绍
化学机械平面化或抛光通常称为CMP，它是一种对半导体和其他类型的衬底进行平面化或抛光的方法。在一定的加工步骤之间对半导体衬底或晶片的表面进行平面化可使得更多的电路层竖直地构建在器件上。随着特征尺寸的减小、密度的增加以及半导体晶片尺寸的增大，CMP过程的要求变得愈加严格。以低成本制造半导体为出发点，晶片之间的加工均匀度以及晶片整个表面的平面化均匀度是一个重要的问题。由于半导体晶片表面上的结构或特征的尺寸已经越来越小(现在通常约为0.2微米)，因此与不均匀的平面化相关的问题就变得更加严重。有时该问题被称为晶片内不均匀(WIWNU)问题。在该领域，已经知道很多原因会导致均匀问题。这些原因包括在平面化过程中向晶片施加晶片背侧压力的方式、由于抛光垫在晶片的边缘和在晶片的中心区域之间典型的不同的相互作用而导致的边缘效应非均匀性、以及在抛光过程中可通过平面化或调整材料去除轮廓而进行理想地补偿的金属和/或氧化层的非均匀性的沉积。迄今为止，希望同时解决这些问题的努力还没有获本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于将具有一表面的衬底设置在抛光设备的抛光表面上的抛光头，该抛光头包括一适于在抛光操作期间保持所述衬底的载体，该载体具有一下表面，一柔性部件固定在该载体上并且在所述下表面上延伸，一隔离件设置在所述柔性部件和下表面之间，以在所述柔性部件和下表面之间形成一空腔，所述载体设有与下表面连通的通道，用来将加压流体引入到所述空腔中，所述柔性部件具有用来接合所述衬底以便在抛光操作期间将所述衬底压靠在抛光表面上的接纳表面，所述柔性部件具有一厚度以及多个穿过该厚度延伸至接纳表面以便将压力直接施加在所述衬底上的孔。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：梶原治郎，格拉尔德S莫洛尼，王惠明，戴维A汉森，
申请(专利权)人：多平面技术公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]