具有凹陷窗的抛光垫制造技术

本发明专利技术提供一种用于化学机械抛光的抛光垫，所述抛光垫包含（ａ）一第一抛光层（１０），其包含一抛光表面（１２）和一具有一第一长度和一第一宽度的第一孔隙；（ｂ）一第二层（２０），其包含一本体和一具有一第二长度和一第二宽度的第二孔隙，其中所述第二层（２０）大体上与所述第一抛光层（１０）共同延伸，且所述第一长度和第一宽度中至少一者小于所述第二长度和第二宽度；和（ｃ）一大体上透明的窗部分（３０），其中所述透明的窗部分（３０）被安置在所述第二层的第二孔隙内以便与所述第一抛光层的第一孔隙对准，且所述透明窗部分（３０）通过一间隙（４０）与所述第二层的本体相分离。本发明专利技术进一步提供一种化学机械抛光装置和抛光工件的方法。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术关于一种用于化学机械抛光的抛光垫，其包含一通过一间隙与抛光垫本体相分离的凹陷窗。
技术介绍
化学机械抛光(＂CMP＂)处理用于微电子器件的制造中，以在半导体晶圆、场发射显示器和许多其它微电子衬底上形成平坦表面。例如，半导体器件的制造一般涉及形成不同处理层；选择性移除或图案化所述层的若干部分；及在半导体衬底的表面上沉积额外的处理层以形成半导体晶圆。举例来说，处理层可包括绝缘层、栅极氧化物层、导电层和金属或玻璃层等。在晶圆处理的某些步骤中，为了沉积随后的层，一般需要处理层的最上部表面是平面的，即平坦的。CMP用于平坦化处理层，其中抛光所沉积的材料(诸如导电或绝缘材料)以平坦化晶圆供用于随后的处理步骤。在典型CMP处理中，晶圆倒置安装在CMP工具中的托架上。一力将托架和晶圆向下推向抛光垫。使托架和晶圆在CMP工具的抛光台上的旋转抛光垫上方旋转。在抛光处理期间，通常将抛光组合物(也称为抛光浆)引入旋转的晶圆与旋转的抛光垫之间。抛光组合物通常含有与最上部晶圆层的部分相互作用或溶解所述部分的化学物和物理地移除所述层的部分的抛光材料。晶圆和抛光垫可在相同方向或相反方向上旋转，任一方向本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于化学机械抛光的抛光垫，其包含：　　　　（ａ）一第一抛光层，其包含一抛光表面和一具有一第一长度和一第一宽度的第一孔隙，　　　　（ｂ）一第二层，其包括一本体和一具有一第二长度和一第二宽度的第二孔隙，其中所述第二层大体上与所述第一抛光层共同延伸，且所述第一长度和所述第一宽度中至少一者分别小于所述第二长度和所述第二宽度，和　　　　（ｃ）一大体上透明的窗部分，其中所述透明的窗部分安置在所述第二层的所述第二孔隙内，以便与所述第一抛光层的所述第一孔隙对准，且所述透明的窗部分通过一间隙与所述第二层的所述本体相分离。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：凯尔A特纳，杰弗里L比勒，凯利J纽厄尔，
申请(专利权)人：卡博特微电子公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]