一种细胞神经网络多涡卷混沌吸引子产生方法技术

一种细胞神经网络多涡卷混沌吸引子产生方法。本发明专利技术通过对一细胞神经网络进行建模，并引入一个正弦函数，通过系统变换，设置不同参数，可以产生不同数量的多涡卷混沌吸引子，并采用单向电子晶体管与金属氧化物半导体混合结构器件(SETMOS)的负阻性质进行实现，对生物及通信系统具有一定的应用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及生命科学及非线性控制领域，具体涉及。
技术介绍
上世纪90年代初，基于Chua电路归一化状态方程，Suykens和Vandewalle通过增加非线性函数曲线的转折点发现了多涡卷混沌吸引子。相比于传统的单涡卷和双涡卷混沌系统，多涡卷或多翼混沌系统呈现出更为复杂的吸引子拓扑结构，在生物工程、电子、通信、系统控制等领域具有广阔的应用前景。因此，多涡卷混沌系统的理论分析和相应的电路实现成为混沌研究的一个热点。本专利技术通过对一细胞神经网络进行建模，并引入一个正弦函数，通过系统变换，设置不同参数，可以产生不同数量的多涡卷混沌吸引子，并采用单向电子晶体管与金属氧化物半导体混合结构器件(SETMOS)的负阻性质进行实现，对生物及通信系统具有一定的应用价值。
技术实现思路
有鉴于此，为了解决上述问题，为此，本专利技术提出了。本专利技术的目的是这样实现的:细胞神经网络多涡卷混沌吸引子产生方法，其特征在于:包括一个等效神经网络模型；对所述的神经网络模型进行适当变换，并利用正弦函数，可以产生多涡卷混沌吸引子。并采用单向电子晶体管与金属氧化物半导体混合结构器件(SETMOS)的负阻性质进行实现。细胞神经网络(CNN)结构的变型蔡氏电路动态模型方程为:权利要求1.，其特征在于:包括一个等效神经网络模型；对所述的神经网络模型进行适当变换，并利用正弦函数，可以产生多涡卷混沌吸引子；并采用单向电子晶体管与金属氧化物半导体混合结构器件(SETMOS)的负阻性质进行实现。2.如权利要求1所述的多涡卷混沌吸引子产生方法，其特征在于:细胞神经网络CNN结构的变型蔡氏电路动态模型方程的一般式为:3.如权利要求2所述的多涡卷混沌吸引子产生方法，其特征在于:对SETMOS复杂的NDR特性曲线模型进行进行正弦函数拟合，非线性函数/(^)为4.如权利要求1所述的多涡卷混沌吸引子产生方法，其特征在于:还包括通过与所述三维混沌系统(5)，通过改变&的值，从而控制涡卷数量。5.如权利要求1所述的多涡卷混沌吸引子产生方法，其特征在于:还包括通过与所述三维混沌系统(5)中的负阻用SETMOS器件实现。全文摘要。本专利技术通过对一细胞神经网络进行建模，并引入一个正弦函数，通过系统变换，设置不同参数，可以产生不同数量的多涡卷混沌吸引子，并采用单向电子晶体管与金属氧化物半导体混合结构器件(SETMOS)的负阻性质进行实现，对生物及通信系统具有一定的应用价值。文档编号G06N3/02GK103197553SQ20131008365公开日2013年7月10日 申请日期2013年3月18日 优先权日2013年3月18日专利技术者不公告专利技术人 申请人:王少夫本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种细胞神经网络多涡卷混沌吸引子产生方法，其特征在于：包括一个等效神经网络模型；对所述的神经网络模型进行适当变换，并利用正弦函数，可以产生多涡卷混沌吸引子；并采用单向电子晶体管与金属氧化物半导体混合结构器件(SETMOS)的负阻性质进行实现。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：王少夫，
类型：发明
国别省市：