红外非线性光学单晶体硫镓锡制造技术

本发明专利技术公开红外非线性光学单晶体硫镓锡、其合成及应用。该单晶体分子式：SnGa4S7，分子量为622.08,?属于单斜晶系，空间群Pc，单胞参数为a=7.2584(9)??,?b=6.3580(7)??,?c=12.4198(19)??,α=γ=90°,?β=106.496(8)°,?V=549.57(13)?3，Z=2。采用真空密封石英管及石墨坩埚高温反应法制备。硫镓锡晶体具有优秀的红外非线性光学性能，实验测定其粉末（粒度90-109μm）SHG强度约为相应粒度AgGaS2的1.1倍并且满足I类相位匹配。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于红外非线性光学晶体材料及其制备。
技术介绍
非线性光学晶体材料，我们可以主要将其分为三大类:一、紫外及深紫外波段非线性光学材料；二、可见光及近红外波段非线性光学材料；三、红外及中远红外非线性光学材料。本专利技术的工作主要关注于红外及中远红外非线性光学材料，该材料在民用和军事方面有广泛的潜在用途，如激光器件、红外波段激光倍频、红外激光雷达、激光通讯、红外滤光器件、光电对抗等。目前为止，2 20pm的中远红外波段激光的产生主要是基于非线性光学原理及红外非线性光学晶体变频技术而得到的。市场上，常用的红外非线性光学晶体主要有AgGaS2, AgGaSe2, ZnGeP2等。这些晶体都已在民用生产生活高科技领域和军事装备中得到作用，但是这些晶体材料也有自身的缺点，在综合性能上还无法达到人们理想的要求，随着技术的发展与要求的提高，需要性能更加优异的红外非线性晶体，故，对于新型中远红外非线性晶体的探索，在民用高科技产业和提升军事装备都具有重要的战略意义，也是晶体材料合成与生长的一种挑战。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于制备硫镓锡单晶。本专利技术的目的之二在于制备硫镓锡粉末。本专本文档来自技高网...

【技术保护点】
硫镓锡红外非线性光学单晶体，其化学式为SnGa4S7，分子量为622.08，属单斜晶系，空间群Pc，单胞参数为a=7.2584(9)??,?b=6.3580(7)??,?c=12.4198(19)??,α=γ=90°,?β=106.496(8)°,?V=549.57(13)?3，Z=2。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗中箴，李元兵，林晨升，程文旦，张炜龙，张浩，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：