【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种晶体制备装置，特别是一种碲锌镉晶体的制备装置，可用于获得高纯度的碲锌镉晶体，制备符合作为探测器级别要求的特种晶体材料。
技术介绍
由于CdZnTe(CZT)具有较高的平均原子序数和较大的禁带宽度，所以CZT探测器具有较大的吸收系数、较高的计数率，尤其是不需任何的冷却设备就能在室温下工作，因而体积较小、使用更加方便。目前，CZT探测器的广泛应用主要受到晶体性能、体积和成本等几方面的限制，晶体的制备方法主要是采用高压布里奇曼法或改进的垂直布里奇曼法生长CZT晶体。但是，这两种方法通常为了获得高电阻晶体，常采用掺入浅施主杂质来补偿晶 体中的浅受主的办法来实现，但使两者浓度接近相等是难以达到的，必需引入深能级来“钉扎”剩余浅能级。但是深能级是陷阱和复合中心，如引入的深能级密度如大于1013/cm3，将极大地降低μ τ (载流子寿命与迁移率的乘积)值。为此研究人员做了大量的研究工作，提出了许多方法，如设法加强浅缺陷的自补偿，以此来减少对深能级的需求。但是种种措施都要建立在晶体中杂质浓度足够低的条件下才有意义。一味地追求高纯原料不会是一条有效的途径，绝对的...
【技术保护点】
一种移动加热器法生长碲锌镉晶体的装置，包括炉架（7）、设置于所述炉架（7）上方的生长炉体，装载碲锌镉晶体生长材料的石英料管置于氧化铝支撑杆上，氧化铝支撑杆置于所述生长炉体内，循环冷却水系统（3）和搜书生长炉体共同控制晶体生长过程的温度，其特征在于：所述生长炉体竖直安装，所述生长炉体的中间加热段设有高频电磁感应加热器（2），所述生长炉体的上段和下段为上下电阻加热炉（1），所述上下电阻加热炉（1）形成所述生长炉体中间加热段的保温区，所述氧化铝支撑杆的底端与伺服旋转机构（5）的旋转主轴传动端同轴固定连接，所述伺服旋转机构（5）驱动所述氧化铝支撑杆带动石英料管转动，所述生长炉体的外...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王林军，魏高力，张继军，闵嘉华，梁晓燕，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：
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